六面体β-FeSi₂颗粒：制备工艺、晶面效应与室温铁磁性能研究.docxVIP

六面体β-FeSi?颗粒：制备工艺、晶面效应与室温铁磁性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，半导体材料在电子器件领域的地位愈发重要。传统的硅基半导体器件主要利用电子的电荷属性来实现信息的处理和传输，然而，随着器件尺寸的不断缩小，量子效应逐渐显现，传统的硅基半导体器件面临着性能瓶颈和功耗增加等问题。硅基自旋电子学应运而生，它不仅利用电子的电荷属性，还利用电子的固有角动量——自旋，为半导体材料的发展开辟了新的道路，有望突破传统硅基半导体器件的限制，实现更高性能、更低功耗的电子器件。

在众多潜在的硅基自旋电子学材料中，β-FeSi?以其独特的性质备受关注。β-FeSi?是一种金属硅化物半导体材料，具有直接带隙特性，禁带宽度约为0.80-0.89eV。这一特性使其在光电器件方面展现出巨大的潜力，如可用于制作硅基光电子光源及探测器件、太阳能电池和热电器件等。此外，β-FeSi?还具有良好的化学稳定性和热稳定性，与硅器件工艺相匹配，这使得它在硅基半导体领域具有重要的应用前景。

在自旋电子学领域，材料的磁性是一个关键特性。具有室温铁磁性的材料在磁存储、自旋逻辑器件和传感器等领域具有广泛的应用前景。对于β-FeSi?材料而言，探索其在室温下的铁磁性及其调控机制，不仅能够丰富我们对其物理性质的认识，还可能为其在自旋电子学领域的应用提供新的途径。六面体β-FeSi?颗粒作为一种特殊形态的β-FeSi?材料，其晶体结构和表面特性可能对其磁性产生重要影响。研究六面体β-FeSi?颗粒的室温铁磁性，深入探究晶面与磁性之间的关系，对于开发新型的硅基自旋电子学材料具有重要的理论和实际意义。从理论层面来看，这有助于我们更深入地理解β-FeSi?材料的电子结构和磁相互作用机制；从实际应用角度出发，有望为制备高性能的自旋电子学器件提供理论指导和材料基础。

1.2β-FeSi?材料的基本性质

1.2.1Fe-Si常见的相与性质

Fe-Si体系是一个复杂的二元体系，存在着多种不同的相，这些相具有各自独特的结构、特性及形成条件。常见的Fe-Si化合物包括Fe?Si?、Fe?Si、Fe?Si、FeSi以及FeSi?（主要包括α-FeSi?和β-FeSi?）。

Fe?Si具有面心立方的DO?结构，每个晶胞内有四个原子，原子坐标分别为A（0,0,0）、B（0.25,0.25,0.25）、C（0.5,0.5,0.5）以及D（0.75,0.75,0.75）。晶体中有两种不同占位的Fe原子，它表现出金属特性，在软磁材料领域有一定的应用，因其具有较高的饱和磁感应强度和较低的矫顽力，常用于制造变压器铁芯等电磁元件。

Fe?Si?的晶体结构较为复杂，它具有较高的硬度和脆性，通常在一些需要高硬度材料的特殊应用场景中被关注，如在某些耐磨涂层中作为增强相。

而β-FeSi?在这些化合物中显得尤为独特。它属于正交晶系，空间群为D?h1?(cmca)，晶格常数为a=0.9863nm，b=0.7791nm，c=0.7883nm，每个单胞内有48个原子，其中包括16个铁原子和32个硅原子。与其他主要表现为金属特性的Fe-Si化合物不同，β-FeSi?是具有直接带隙特性的半导体材料，这一特性使其在光电器件和半导体领域具有独特的应用价值，如前文所述，可用于制作硅基光电子器件和太阳能电池等。这种特性的差异源于其原子排列方式和电子结构的不同，使得β-FeSi?在电学和光学性质上与其他Fe-Si相区分开来。

1.2.2β-FeSi?电子结构和基本性质

β-FeSi?的晶体结构为正交晶系，这种结构决定了其原子在空间的排列方式，进而对其电子结构产生重要影响。从电子结构角度来看，β-FeSi?的电子能态密度主要由Fe的d层电子和Si的p层电子的能态密度确定。Fe原子的d电子具有较高的局域性，而Si原子的p电子则在晶体中具有一定的离域性，它们之间的相互作用形成了β-FeSi?独特的能带结构。

β-FeSi?的能带结构显示其具有直接带隙特性，禁带宽度约为0.80-0.89eV。这种直接带隙特性使得电子在导带和价带之间的跃迁无需借助声子等其他准粒子，从而具有较高的光吸收和发射效率。在电学性质方面，由于其半导体特性，β-FeSi?的电导率介于金属和绝缘体之间，且对温度、杂质等因素较为敏感。通过掺杂等手段，可以有效地调控其电学性能，如掺入磷（P）等n型掺杂元素，可以引入额外的电子，提高其电导率。在光学性质上，β-FeSi?在其特征波长范围内具有良好的光吸收和发射特性，研究报道表明，在低温和室温下观测到了β-FeSi?电致发光的波长分别为1.5