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第四章半导体的导电性电离杂质散射：施主杂质电离后是一个带正电的离子，受主杂质电离后是—个带负电的离子。在电离施主或受主周围形成一个库仑势场，这一库仑势场局部地破坏了杂质附近的周期性势场，它就是使裁流子散射的附加势场。当载流子运动到电离杂质附近时，由于库仑势场的作用，就使载流于运动的方向发生改变。第30页，共71页，星期日，2025年，2月5日第四章半导体的导电性第31页，共71页，星期日，2025年，2月5日第四章半导体的导电性第32页，共71页，星期日，2025年，2月5日第四章半导体的导电性对一般的掺杂情况，在低温区晶格散射作用相对较小，电离杂质散射变强。迁移率随温度升高而增加；而在高温区则是晶格散射起主要作用，迁移率随温度升高而减少。迁移率由随温度升高而增加变到随温度升高而减少的转折点与材料的掺杂浓度有关，杂质浓度愈高则转折点的温度愈高。在强电场作用下半导体中载流子与电场的关系不再满足于(1-68)式，即迁移率不再是常数。第33页，共71页，星期日，2025年，2月5日第四章半导体的导电性在弱电场的作用下，载流子从电场获得的能量不多，载流子沿着电场方向的漂移速度比本身的热运动速度小得多，可近似认为载流子与晶格处于热平衡状态。此时电场不影响载流子的运动状态与散射过程，因此迁移率为一常数。在强电场的作用下，载流子获得的能量较大，但与晶格的能量交换仍以声学声子进行，交换率不够高，使得载流子获得的能量不能与晶格及时交换，载流子的温度Te随电场E的加大而增加，。此时电子的温度高于晶格温度，称为“热电子”。由于电子的运动速度V与T1/2成正比，所以被晶格散射的几率增加，因此第34页，共71页，星期日，2025年，2月5日第四章半导体的导电性第35页，共71页，星期日，2025年，2月5日第四章半导体的导电性当电场进一步增加，载流子获得的能量可以与光学声子能量相当时，载流子通过发射光学声子的方式与晶格交换能量，把前一次散射后所增加的能量全部交给晶格，载流子的漂移速度不再增加，而是维持一个一定数值，称为散射极限速度或饱和速度。第36页，共71页，星期日，2025年，2月5日第五章非平衡载流子np偏离同一温度下的ni2，比平衡状态多出来的电子和空穴就称为非平衡载流子。第37页，共71页，星期日，2025年，2月5日第五章非平衡载流子一．非平衡载流子的注入与复合1．非平衡载流子的产生：光照、电注入（1-78）非平衡载流子的出现将改变半导体材料的电导率：（1-79）小注入：大注入：第38页，共71页，星期日，2025年，2月5日第五章非平衡载流子第39页，共71页，星期日，2025年，2月5日第五章非平衡载流子2．非平衡载流子的复合第40页，共71页，星期日，2025年，2月5日第五章非平衡载流子（1-80）第41页，共71页，星期日，2025年，2月5日第五章非平衡载流子（1-81）在小注入条件下，是一固定值，与非平衡载流子多少无关。不同的材料寿命相差悬殊。一般地说，锗比硅容易获得较高的寿命，而砷化镓的寿命要短得多。在较完整的锗单晶中，寿命可超过104μs。纯度和完整性特别好的硅材料，寿命103μs以上。砷化镓的寿命极短，约为10-8μs或更低。即使是同种材料．在不同的条件下，寿命也可在一个很大的范围内变化。第42页，共71页，星期日，2025年，2月5日第五章非平衡载流子三．准费米能级系统处于平衡状态的标志是具有统一的费米能级,当外界的影响破坏了这种系统的平衡后，半导体内就不再具有统一的费米能级。电子系统的热平衡状态是通过热跃迁来实现的。在同一能带内,热平衡在极短的时间内就能完成,故就导带和价带中的电子它们各自基本上处于平衡状态。分别引进导带费米能级和价带费米能级,称为准费米能级。（1-82）