计算机组成与结构课件第四章主存储器.pptVIP

读出:位线预充电至高电平;当字线出现高电平后,T导通,若原来Cs充有电荷,则Cs放电,使位线电位下降,经放大后,读出为1;若原来Cs上无电荷,则位线无电位变化,放大器无输出,读出为0。读出后,若原来Cs充有电荷也被放掉了,和没有充电一样,因此读出是破坏性的,故读出后要立即对单元进行“重写”,以恢复原信息。第29页，共70页，星期日，2025年，2月5日第30页，共70页，星期日，2025年，2月5日16K=214地址码为14位,为了减少封装引脚数,地址码分两批(每批7位)送至存储器.先送行地址,后送列地址。16K位存储单元矩阵由两个64?128阵列组成.读出信号保留在读出放大器中。读出时,读出放大器又使相应的存储单元的存储信息自动恢复(重写),所以读出放大器还用作再生放大器。16K?1动态存储器框图说明第31页，共70页，星期日，2025年，2月5日16K?1动态存储器框图说明再生:通过电容的充电来保存信息,但漏电阻的存在,其电荷会逐渐漏掉,从而使存储的信息丢失.因此,必须在电荷漏掉以前就进行充电,这充电过程称为再生,或称为刷新。读出过程就能使信息得以恢复,由于每列都有读出放大器,因此只要依次改变行地址,轮流对存储矩阵的每一行的所有单元同时进行读出,当把所有行全部读出一遍,就完成了再生。第32页，共70页，星期日，2025年，2月5日3、DRAM与SRAM的比较第33页，共70页，星期日，2025年，2月5日三、非易失性半导体存储器停电时信息不丢失的存储器称为非易失性存储器。可分为ROM、PROM、EPROM、E2PROM和flashmemory。第34页，共70页，星期日，2025年，2月5日1、ROM芯片的内容在制造时已经输入，只能读，不能修改。存储原理：是根据元件的有无来表示该存储单元的信息（1或0）。存储元件：二极管或晶体管。第35页，共70页，星期日，2025年，2月5日2、PROM用户可根据自己的需要来确定ROM里的内容，常见的是熔丝式PROM是以熔丝的接通来表示1、断开表示0。常用于工业控制机。第36页，共70页，星期日，2025年，2月5日3、EPROM紫外线擦除，只能对芯片进行整体擦除，而不能对芯片中个别需要改写的存储单元单独擦除。编程次数不受限制。第37页，共70页，星期日，2025年，2月5日4、E2PROM电擦除，可以用字擦除方式擦除，也可以用数据块擦除方式擦除。以字擦除方式操作时，能够只擦除被选中的那个存储单元的内容；在数据块擦除方式操作时，可擦除数据块内所有单元的内容。编程次数受限制。第38页，共70页，星期日，2025年，2月5日5、闪速存储器（flashmemory）一种快擦写型存储器，它的主要特点是：既可在不加电的情况下长期保存信息，又能进行快速擦除（整体擦除或分区擦除）与重写，兼备了E2PROM和RAM的优点。读的速度超过SRAM。第39页，共70页，星期日，2025年，2月5日PQFP封装SOP封装SOJ封装第40页，共70页，星期日，2025年，2月5日四、DRAM的研制与发展1、SDRAM——同步动态随机读写存储器将CPU与RAM通过一个相同的时钟信号锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作。在每一个时钟脉冲的上升沿开始传送数据。第41页，共70页，星期日，2025年，2月5日2、DDR——双倍数据传输速率同步动

态随机存储器是SDRAM的一种新技术。可在同一时钟周期的上升和下降沿都能传送数据，同样时间内的数据传送量翻了一倍。双通道DDR内存技术是2003年中最热门的技术之一。双通道内存技术其实就是双通道内存控制技术，能有效地提高内存总带宽，从而适应新的微处理器的数据传输、处理的需要。它的技术核心在于：芯片组(北桥)可以在两个不同的数据通道