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非易失性存储器第1页，共12页，星期日，2025年，2月5日存储器

存储器的主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。它采用具有两种稳定状态的物理器件来存储信息第2页，共12页，星期日，2025年，2月5日存储器分类第3页，共12页，星期日，2025年，2月5日各类存储器性能比较

第4页，共12页，星期日，2025年，2月5日非易失性存储器特点：在掉电以后，存储在存储器中的数据不会丢失。自1967年贝尔实验室(BellLab)的D.Kahng和S.M.Sze提出基于浮栅结构(FG,FloatingGate)的非挥发性半导体存储器随后，Flash存储器主要朝着电荷俘获型存储器阻挡层的研究两个方向发展第5页，共12页，星期日，2025年，2月5日非易失性存储器的发展第6页，共12页，星期日，2025年，2月5日浮栅存储器工作原理

在常规MOSFET的栅堆栈结构中加入与顶层控制栅隔离的多晶硅形成浮栅，浮栅被SiO2绝缘层包围。通过对器件栅极(G)、源极(S),漏极(D)加适当的电压将沟道中的电荷注入到浮栅或从浮栅中泄漏，从而引起器件阈值电压的变化，Ia一Vg曲线也发生相应的平移，不同的曲线用来表示逻辑上的“0”和“1”两个状态，进行数据存储。所存储的数据在失去外部供电后，由于浮栅被栅堆栈中的绝缘层隔离而得以保存，即所谓的非挥发性。第7页，共12页，星期日，2025年，2月5日电荷陷阱存储器工作原理电荷陷阱型存储器基本结构和浮栅类似，不同之处在于电荷陷阱型存储器的电荷存储在具有高缺陷能级密度的材料中，包括Si3N4以及一些禁带宽度非常较小的高介电常数材料中，如HfO2,HfAlO。第8页，共12页，星期日，2025年，2月5日存储器编程/擦除（P/E）编程时，栅极加正电压，电荷通过某种方式注入到存储层中，这时，存储层起到一个势阱的作用，进入其中的电荷在没有外力的作用下是无法“逃走的，因此可以存储电荷。由于存储层中电荷产生的电场屏蔽作用，使得器件的阈值电压增大。擦除时，栅极加负电压，电荷以某种机制从存储层回到衬底时，器件阈值电压又会降回原来的大小。这里用二进制数“1和“0”分别代表低阈值电压状态和高阈值电压状态，“O”表示存储器已经被编程，“1表示存储器己经被擦除。第9页，共12页，星期日，2025年，2月5日