第10章二极管和晶体管.pptVIP

晶体管电流测量数据IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.100.0010.701.502.303.103.950.0010.721.542.363.184.05结论:(1)IE=IB+IC符合基尔霍夫定律(2)IC??IB，IC?IE(3)?IC???IB把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。上一页下一页返回第29页，共49页，星期日，2025年，2月5日+UBE?ICIEIBCTEB????+UCE?(a)NPN型晶体管；+UBE?IBIEICCTEB????+UCE?电流方向和发射结与集电结的极性(4)要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。(b)PNP型晶体管上一页下一页返回第30页，共49页，星期日，2025年，2月5日3.三极管内部载流子的运动规律BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO基区空穴向发射区的扩散可忽略。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，在外电场作用下基区价电子受激发而不断补充复合的空穴，形成电流IBE，多数扩散到集电结。发射区的自由电子进入基区后大部分向集电结运动，在外电场的作用下被拉入集电区，形成ICE。集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。上一页下一页返回第31页，共49页，星期日，2025年，2月5日3.三极管内部载流子的运动规律IC=ICE+ICBO?ICEICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOIB=IBE-ICBO?IBEICE与IBE之比称为共发射极静态电流放大系数集－射极穿透电流,温度??ICEO?(常用公式)若IB=0,则IC?ICEO上一页下一页返回第32页，共49页，星期日，2025年，2月5日10.5.3特性曲线即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。为什么要研究特性曲线：(1)直观地分析管子的工作状态(2)合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的电路重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线上一页下一页返回第33页，共49页，星期日，2025年，2月5日发射极是输入回路、输出回路的公共端共发射极电路输入回路输出回路测量晶体管特性的实验线路mA?AVVICECIBRB+UBE?+UCE?EBCEB3DG100上一页下一页返回第34页，共49页，星期日，2025年，2月5日1.输入特性特点:非线性正常工作时发射结电压：NPN型硅管UBE?0.6~0.7VPNP型锗管UBE??0.2~?0.3V3DG100晶体管的输入特性曲线O0.40.8IB/?AUBE/VUCE≥1V60402080死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。上一页下一页返回第35页，共49页，星期日，2025年，2月5日第1页，共49页，星期日，2025年，2月5日10.1半导体的导电特性半导体的导电特性：(如热敏电阻)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(如二极管、三极管等）。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化(如光敏电阻、光电二极管、光电三极管等)。热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强上一页下一页返回第2页，共49页，星期日，2025年，2月5日10.1.1本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。例如：提纯后的硅和锗材料(四价元素）晶体中原子的排列方式硅单晶体中的共价健结构共价健共价键中的两个电子，称为价电子。SiSiSiSi价电子上一页下一页返回第3页，共4