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2025年（电子信息工程（微电子方向））微电子器件试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

1.以下哪种半导体材料是目前微电子器件中最常用的？（）

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.碳化硅

答案：A

2.当半导体处于热平衡状态时，以下说法正确的是（）

A.电子和空穴的浓度处处相等

B.电子和空穴的浓度乘积为常数

C.电子浓度大于空穴浓度

D.空穴浓度大于电子浓度

答案：B

3.P型半导体中多数载流子是（）

A.电子

B.空穴

C.离子

D.中子

答案：B

4.半导体的导电能力随温度升高而（）

A.增强

B.减弱

C.不变

D.先增强后减弱

答案：A

5.以下关于PN结的说法错误的是（）

A.具有单向导电性

B.存在内电场

C.电子和空穴可以自由通过

D.是构成许多半导体器件的基础

答案：C

6.对于MOS晶体管，栅极电压主要控制（）

A.源极电流

B.漏极电流

C.沟道电流

D.衬底电流

答案：C

7.以下哪种器件属于双极型器件？（）

A.MOS管

B.二极管

C.场效应管

D.晶闸管

答案：D

8.半导体器件的特征尺寸不断缩小，会带来以下哪种问题？（）

A.功耗降低

B.集成度降低

C.漏电增加

D.速度变慢

答案：C

9.以下关于半导体发光二极管说法正确的是（）

A.发出的光颜色单一

B.发光效率与材料无关

C.只能发出红外光

D.不需要外加电源

答案：A

10.集成电路制造中，光刻工艺的作用是（）

A.形成晶体管

B.掺杂杂质

C.确定器件的图形

D.进行金属布线

答案：C

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

1.简答题（共20分）

-(1)简述PN结的形成过程。（5分）

u在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质，分别形成N型半导体和P型半导体。在它们的交界面处，N区的电子向P区扩散，P区的空穴向N区扩散，从而在交界面两侧形成空间电荷区，即PN结。空间电荷区产生的内电场阻止多子的继续扩散，达到动态平衡。/u

-(2)说明MOS晶体管的工作原理。（5分）

uMOS晶体管由栅极、源极、漏极和衬底组成。当栅极加上正电压时，在栅极下方的半导体表面形成导电沟道，源极和漏极之间通过沟道导通，改变栅极电压可以控制沟道的宽窄，从而控制源极和漏极之间的电流大小，实现对电路的开关和放大等功能。/u

-(3)分析半导体器件小型化的意义。（5分）

u半导体器件小型化可以提高集成度，使更多的器件集成在一块芯片上，增加功能；减小功耗，降低能源消耗；提高速度，加快信号处理速度；降低成本，便于大规模生产，推动电子技术不断发展，满足各种应用场景对高性能、低成本电子产品的需求。/u

-(4)简述半导体发光二极管的发光原理。（5分）

u半导体发光二极管是基于PN结的电致发光效应。当给PN结加上正向电压时，电子与空穴在PN结附近复合，复合过程中电子从高能级跃迁到低能级，多余的能量以光的形式释放出来，从而发出特定波长的光。/u

2.讨论题（共20分）

-(1)随着半导体技术的发展，未来微电子器件可能会在哪些方面取得突破？（10分）

u未来微电子器件可能在以下方面取得突破：更高的集成度，能集成更多功能元件；更低的功耗，满足能源需求；更快的速度，提升信号处理能力；新的材料应用，带来更好的性能；量子计算相关器件的发展，实现更强大的计算能力等，推动信息技术不断进步。/u

-(2)在半导体器件制造过程中，如何保证产品的质量和可靠性？（10分）

u要保证产品质量和可靠性，需严格控制制造工艺参数，如光刻的精度、掺杂的浓度等；对原材料进行严格检测；在制造过程中进行实时监测和反馈调整；进行严格的封装保护，防止外界因素影响；对产品进行全面的测试和验证，包括电气性能、可靠性测试等，确保符合标准。/u

3.计算题（共20分）

-(1)已知某半导体材料的本征载流子浓度\(n_i=1.5×10^{10}cm^{-3}\)，在一定温度下掺入施主杂质浓度\(N_d=1×10^{16}cm^{-3}\)，求此时半导体中的电子浓度\(n\)和空穴浓度\(p\)。（10分）

u根据杂质半导体中载流子浓度关系，在\(N_dn_i\)时，电子浓度\(n≈N_d=1×10^{16}cm^{-3}\)。再由\(np=n_i^2\)，可得空穴浓度\(p=n_i^2/n=(1.5×10^{10})^2/(1×10