电子封装用Al-30Si合金的CMT焊工艺研究.pdfVIP

《热加工工艺》2017年8月第46卷第15期

电子封装用AI一30Si合金的CMT焊工艺研究

吴铭方，刘向阳2，王凤江，李东洋t

(1．江苏科技大学材料科学与工程学院，江苏镇江212000；2．镇江镨利玛新型材料科技有限公司。江苏镇江

212121)

摘要：高硅铝合金是一种轻质材料，具有良好的导电性、低的热膨胀系数、稳定的化学性质、良好的机加工性能。

在电子信息行业和航空航天中得到了广泛的应用。从焊缝的微观组织、焊缝成型、焊缝气孔率、硬度等四个方面研究不

同工艺参数下A1—30Si合金的CMT焊接性能。送丝速度3．0mm／in、焊接速度500rnrn／min是A1．30Si合金CMT焊接的

最佳参数。

关键词：高硅铝合金；CMT焊接；焊缝气孔；送丝速度；焊接速度

DOI：10．14158／j．enid．1001-3814．2017．15．047

中图分类号：TG444~7文献标识码：A文章编号：1001-3814(2017)15-0179-04

StudyonCMTWeldingProcessofAI-30SiAHoyforElectronicPackaging

WUMingfang，LIJ【Xiangyang2，WANGFen~iang，LIDongyang

(1．SchoolofMaterialScienceandEngineering，JiangsuUniversityofSciencenadTechnology,Zhe~inag212000，China；

2．ZhenjiangPuLiMaNewMaterialTechnoloygLtd．，Zhenjinag212121，Chnia)

Abstract：Thehihgsiliconaluminumalloyisalightweihgtmaterialwithgoodelectricalconductivity,lowthermal

expnasioncoefficient，stablechemicalproperty，andgoodmachinnigperfomrance，nadithasbeenwidelyusednihte

electronicnifomrationnidustrynadaerospaceapplication．TheCMTweldingpropertiesofAI一30Sialloyunderdifferent

processparameterswerestudiedfromaspectsofweldmicrostructure，weldforming，wedlporosiytandhardness．Thewire

feedingspeedof3．0m／min，nadweldingspeedof500mm／minarehtebestparametersofA1—30SialloyCMTwelding．

Keywords：hihgsiliconaluminmualloy；CMTwelding；weldporosiyt；wirefeednigspeed；weldnigspeed

目前，电子行业向大规模电路集成化、器件小型易发生位错的堆积。同时在快冷的条件下产生的点

化、芯片高效率和仪器高可靠性的方向发展，封装形缺陷会阻碍这些位错的运动，加强了其固溶强化的

式也越来越趋于系统级封装，电路越来越复杂，器件效果。提高了材料的力学性能。CMT焊接是在

的发热量大便成了很关键的问题，所以对于适合电MIG／MAG基础上发展起来的一种新型的低热量输

子封装用的材料的开发十分迫切。喷射成型的高硅入的焊接方法，可以在几乎无电流的状态下完成熔

铝合金材料是一种轻质材料，具有非常适合于电子滴的过渡，整个过程几乎无飞溅的产生，能形成比较

封装的一些物理性能．包括良好的导电性、低的热膨美观的鱼鳞状焊缝。由于AI．30S