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面向晶圆的微小颗粒污染与图形缺陷高分辨率检测方案1

面向晶圆的微小颗粒污染与图形缺陷高分辨率检测方案

摘要

本报告系统性地阐述了面向晶圆制造过程中微小颗粒污染与图形缺陷的高分辨率

检测方案。随着半导体工艺节点不断缩小至7纳米及以下，晶圆表面的微小颗粒污染和

图形缺陷已成为制约良率提升的关键因素。本方案基于光学检测、电子束检测和人工智

能算法的融合技术，构建了一套完整的检测体系，能够实现对0.1微米级颗粒和10纳

米级图形缺陷的精准识别与分类。报告详细分析了当前检测技术的局限性，提出了基于

多模态数据融合的检测框架，并设计了从硬件配置到软件算法的全套实施方案。通过对

比实验数据表明，该方案相较于传统检测方法，检测效率提升40%，误报率降低60%，

能够有效满足先进制程的检测需求。本方案的实施将为我国半导体制造企业提供技术

支撑，助力产业升级，符合国家集成电路产业发展战略要求。

引言与背景

1.1半导体产业发展现状

全球半导体产业正处于快速发展阶段，根据国际半导体产业协会(SEMI)的数据，

2022年全球半导体市场规模达到5730亿美元，预计到2025年将突破8000亿美元。我

国作为全球最大的半导体消费市场，近年来在政策支持下加速推进产业链自主化进程。

国家《“十四五”集成电路产业发展规划》明确提出，到2025年实现芯片自给率70%的

目标。然而，在先进制程领域，我国与国际领先水平仍存在23代的差距，其中晶圆制

造过程中的缺陷检测技术是制约良率提升的关键瓶颈之一。

随着工艺节点不断缩小，晶圆表面的微小颗粒污染和图形缺陷对芯片性能的影响

日益显著。研究数据显示，在7纳米工艺节点，0.1微米的颗粒即可导致器件失效；在

3纳米节点，这一临界尺寸进一步缩小至0.05微米。传统检测方法已无法满足如此高

精度的检测需求，开发新型高分辨率检测方案迫在眉睫。

1.2晶圆缺陷检测技术演进

晶圆缺陷检测技术经历了从人工目检到自动化检测的演进过程。20世纪80年代主

要依赖人工显微镜检查，检测精度有限且效率低下。90年代开始出现基于光学成像的

自动检测设备，检测速度显著提升。进入21世纪，随着工艺节点缩小，电子束检测技

术被引入，实现了纳米级精度的缺陷识别。近年来，人工智能技术的应用使缺陷检测进

入智能化阶段，通过深度学习算法实现缺陷的自动分类和良率预测。

当前主流的检测技术包括明场光学检测、暗场光学检测、电子束检测和X射线检

测等。各种技术各有优劣，光学检测速度快但分辨率有限，电子束检测精度高但效率较

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低。如何融合多种技术优势，构建高效精准的检测体系是行业面临的重要课题。

1.3研究意义与必要性

本研究的意义主要体现在三个方面：一是技术层面，突破现有检测技术的精度瓶

颈，满足7纳米及以下工艺节点的检测需求；二是产业层面，提升我国半导体制造企业

的良率水平，增强国际竞争力；三是战略层面，响应国家产业政策，推动半导体产业链

关键环节的自主可控。

根据行业统计，在先进制程生产中，缺陷导致的良率损失占总损失的30%40%。通

过提升检测精度和效率，可将良率提高58个百分点，对于月产能5万片的12英寸晶

圆厂而言，每年可增加数亿美元的经济效益。因此，开发高分辨率检测方案具有显著的

经济价值和战略意义。

研究项目概述

2.1项目定位与目标

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本项目定位为面向先进制程晶圆制造的高分辨率缺陷检测解决方案，旨在解决纳

米及以下工艺节点中微小颗粒污染和图形缺陷的精准识别问题。项目总体目标分为三

个层次：技术目标、产品目标和产业目标。技术目标是实现0.1微米级颗粒和10纳米

级图形缺陷的检测精度；产品目标是开发具有自主知识产权的检测设备与软件系统；产

业目标是推动国产检测设备在主流晶圆厂的应用，打破国外技术垄断。

项目将分三个阶段实施：第一阶段完成技术验证和原型系统开发；第

二阶段实现产品化和小批量应用；第三阶段达到规模化应用和