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半导体期末试题及答案

一、单选题（每题1分，共10分）

1.半导体材料的禁带宽度通常为（）（1分）

A.0.1eV

B.1.1eV

C.3.0eV

D.5.0eV

【答案】B

【解析】常见半导体材料的禁带宽度在1eV左右，如硅的禁带宽度为1.1eV。

2.N型半导体的多数载流子是（）（1分）

A.电子

B.空穴

C.两者都是

D.两者都不是

【答案】A

【解析】N型半导体中，通过掺入五价元素引入大量电子，电子为多数载流子。

3.PN结在正向偏置时，其depletionregion的宽度（）（1分）

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.无法确定

【答案】B

【解析】正向偏置时，P区电势升高，耗尽层变窄。

4.MOSFET的栅极是（）（1分）

A.导电的

B.绝缘的

C.半导体

D.以上都不是

【答案】B

【解析】MOSFET的栅极通常由二氧化硅绝缘材料制成，不导电。

5.双极结型晶体管（BJT）的主要特性是（）（1分）

A.单向导电性

B.放大作用

C.开关作用

D.稳压作用

【答案】B

【解析】BJT的主要功能是放大电流。

6.CMOS电路的主要优点是（）（1分）

A.高功耗

B.低功耗

C.高速度

D.大电流

【答案】B

【解析】CMOS电路功耗低，适合低功耗应用。

7.半导体器件的PN结反向偏置时，其主要特性是（）（1分）

A.导通

B.截止

C.放大

D.稳压

【答案】B

【解析】反向偏置时，PN结截止，只有很小的反向电流。

8.晶体管的输出特性曲线中，饱和区是指（）（1分）

A.发射结和集电结均正向偏置

B.发射结正向偏置，集电结反向偏置

C.发射结和集电结均反向偏置

D.发射结反向偏置，集电结正向偏置

【答案】A

【解析】饱和区中，发射结和集电结均正向偏置，晶体管处于导通状态。

9.光电二极管的工作原理是（）（1分）

A.光电效应

B.霍尔效应

C.电磁感应

D.热电效应

【答案】A

【解析】光电二极管通过光电效应将光能转换为电信号。

10.MOSFET的阈值电压（Vth）是指（）（1分）

A.栅极电压使晶体管开始导通的最小值

B.栅极电压使晶体管完全截止的最大值

C.栅极电压使晶体管完全导通的最大值

D.栅极电压使晶体管完全截止的最小值

【答案】A

【解析】阈值电压是使MOSFET开始导通所需的最小栅极电压。

二、多选题（每题4分，共20分）

1.以下哪些是半导体的主要特性？（）（4分）

A.高导电性

B.热敏性

C.光敏性

D.可控性

E.稳定性

【答案】B、C、D

【解析】半导体具有热敏性、光敏性和可控性，但导电性受温度和杂质影响。

2.MOSFET的工作模式包括（）（4分）

A.饱和区

B.截止区

C.线性区

D.集电区

E.发射区

【答案】A、B、C

【解析】MOSFET主要工作在饱和区、截止区和线性区。

3.PN结的反向偏置特性包括（）（4分）

A.耗尽层变宽

B.反向电流很小

C.正向电流很大

D.击穿现象

E.稳压作用

【答案】A、B、D

【解析】反向偏置时，耗尽层变宽，反向电流很小，但存在击穿现象。

4.晶体管的主要参数包括（）（4分）

A.电流增益（β）

B.集电极-发射极穿透电流（Iceo）

C.集电极最大电流（Icm）

D.集电极-基极反向电流（Icbo）

E.阈值电压（Vth）

【答案】A、B、C、D

【解析】晶体管的主要参数包括电流增益、集电极-发射极穿透电流、集电极最大电流和集电极-基极反向电流。

5.半导体器件的应用包括（）（4分）

A.整流

B.放大

C.开关

D.稳压

E.振荡

【答案】A、B、C、D、E

【解析】半导体器件广泛应用于整流、放大、开关、稳压和振荡等领域。

三、填空题（每题2分，共16分）

1.半导体材料的主要带隙宽度范围是______eV。（2分）

【答案】0.1-3.0

2.N型半导体的多数载流子是______，少数载流子是______。（2分）

【答案】电子；空穴

3.PN结正向偏置时，耗尽层______，反向偏置时，耗尽层______。（2分）

【答案】变窄；变宽

4.MOSFET的栅极材料通常是______。（2分）

【答案】二氧化硅

5.双极结型晶体管（BJT）的三个区分别是______、______和______。（2分）

【答案】发射区；基区；集电区

6.光电二极管的工作原理是基于______效应。（2分）

【答案】光电效应

7.MOSFET的输出特性曲线分为______、______和______三个区域。（2分）

【答案】截止区；饱和区；线性区

8.半导体器件的制造工艺主要包括______、______和______。（2分）

【答案】光刻；蚀刻；薄膜沉积

四、判断题（每题2分，共10分）

1.半导体材料的导电性随温度升高而增加。（）（2分）

【答案