退火温度对P型氮化镓薄膜光学特性影响的深度剖析.docx

退火温度对P型氮化镓薄膜光学特性影响的深度剖析

一、绪论

1.1研究背景与意义

在半导体材料的璀璨星空中，氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体材料的杰出代表，凭借其卓越的性能，在光电子领域散发着耀眼的光芒，成为了科研人员竞相探索的焦点。氮化镓拥有宽禁带、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度以及良好的高温性能等一系列优异特性，这些特性使其在高亮度蓝、绿光发光二极管、蓝光激光器、紫外探测器等众多光电子器件的制造中展现出巨大的应用潜力，具有极为广阔的市场前景。

在氮化镓的研究与应用进程中，P型氮化镓的制备一直是极具挑战性的关键难题。由于氮化镓材料本身具有较高的N型背景载流子浓度，长久以来，高