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半导体工艺试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.在半导体制造中，高纯度电子级硅（EGS）通常采用的方法是？

A.熔融还原法

B.化学气相沉积法

C.高温裂解法

D.电解法

2.硅片表面热氧化主要生成的是？

A.二氧化硅(SiO?)和氮化硅(Si?N?)

B.三氧化二铝(Al?O?)和二氧化硅(SiO?)

C.二氧化硅(SiO?)和磷化硅(SiP)

D.氮化硅(Si?N?)和碳化硅(SiC)

3.扩散工艺中，用于将杂质引入硅片内部的主要方法是？

A.光刻

B.氧化

C.离子注入

D.气相沉积

4.光刻工艺中，起保护作用，未经曝光部分仍能抵抗显影液侵蚀的膜层是？

A.腐蚀液

B.掩膜版

C.抗蚀剂

D.光刻胶

5.下列哪种薄膜沉积技术属于等离子体增强化学气相沉积（PECVD）？

A.低压力化学气相沉积（LPCVD）

B.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

C.物理气相沉积（PVD）

D.喷涂沉积

6.在半导体器件制造中，刻蚀工艺的主要目的是？

A.沉积导电层

B.形成隔离结构

C.增加硅片厚度

D.氧化硅片表面

7.离子注入工艺后，通常需要进行退火处理的目的是？

A.增加硅片厚度

B.使注入的离子能量降低，并向体内扩散，形成特定浓度分布

C.去除光刻胶残留

D.增强氧化层绝缘性

8.下列哪项不属于半导体器件制造中的主要工艺步骤？

A.外延生长

B.化学机械抛光（CMP）

C.激光退火

D.真空蒸发

9.影响扩散工艺中杂质浓度分布的主要因素不包括？

A.扩散温度

B.扩散时间

C.硅片厚度

D.杂质源浓度

10.用于形成器件之间电气隔离的结构通常是？

A.导电层

B.隔离沟槽

C.薄膜电容

D.接触孔

二、填空题

1.半导体材料硅（Si）在元素周期表中位于第______周期，第______族。

2.热氧化工艺中，根据氧化气氛不同，主要生成物为SiO?，其化学式为______。

3.离子注入过程中，用于控制注入离子束能量的装置是______。

4.光刻工艺通常包括涂胶、曝光、显影和______四个主要步骤。

5.在PECVD沉积氮化硅（Si?N?）薄膜时，常用的反应气体组合是氨气（NH?）和硅烷（SiH?）。

6.刻蚀工艺根据与掩膜版是否接触，可分为接触式刻蚀和______。

7.MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件结构中，栅极材料通常由______制成。

8.扩散工艺按温度变化可分为常温扩散、高温扩散和______。

9.用于在硅片表面形成平坦表面的重要工艺是______。

10.硅片在进入光刻机曝光前，需要经过______和______处理，以获得良好的附着力。

三、简答题

1.简述外延生长（Epitaxy）在半导体制造中的作用。

2.解释什么是离子注入的注入剂量和注入能量，它们分别影响什么？

3.简述光刻胶（Photoresist）在光刻工艺中的主要功能。

4.列举三种常见的半导体薄膜沉积技术，并简述其基本原理。

四、计算题

假设进行一次磷（P）扩散，扩散温度为1000°C，扩散时间为1小时。已知在1000°C时，磷在硅中的扩散系数（D）为1x10?12m2/s。请估算（假设为稳态扩散，忽略表面复合效应）在距离硅片表面100微米处，磷的浓度大约是表面浓度的多少倍？（提示：可以使用菲克第二定律的简化稳态解）

五、综合题

简述制造一个N沟道MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）器件的主要工艺流程步骤，并简要说明每个步骤的目的。请至少包含以下步骤：氧化、光刻（至少两次）、离子注入（至少两次）、薄膜沉积（至少两种）。

试卷答案

一、选择题

1.A

解析思路：工业上制备高纯度电子级硅主要采用西门子法，即熔融硅与三氯氢硅在高温下反应，再通过精馏提纯。

2.A

解析思路：硅在高温氧化条件下，与氧气反应生成二氧化硅（SiO?），这是硅片表面热氧化的主要产物。氮化硅是离子注入氮后高温退火的产物。铝的氧化物是Al?O?。磷的化合物是磷化物。

3.C