MgO(011)衬底上倾斜ZnO薄膜的制备与界面结构解析.docxVIP

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2025-12-03 发布于上海
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MgO(011)衬底上倾斜ZnO薄膜的制备与界面结构解析.docx

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MgO(011)衬底上倾斜ZnO薄膜的制备与界面结构解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子器件不断追求高性能、小型化和多功能化的发展趋势下，将具有不同结构和特性的材料进行有效集成变得愈发重要。这种集成能够充分发挥各材料的优势，为开发新型电子器件提供更多可能。例如，在垂直集成电子学中，通过将不同的半导体材料层层堆叠，实现了在单位面积上制备大量晶体管，满足了数据处理的更高需求，同时避免了传统晶体管尺寸缩小时面临的物理极限问题。

氧化锌（ZnO）作为一种直接带隙的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族N型半导体，具备诸多优异特性，如在可见光区具有高透过率、强烈吸收紫外光、拥有优良的压电和气敏特性以及一