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PN结的伏安特性——由理论分析得到式中：IS为PN结的反向饱和电流，该值很小，一般硅PN结IS的值仅pA级；VT为热电压，常温（T=300K）下一般取VT≈26mV。可以验证，只有当vD的值取到0.52V以上时，硅PN结的iD值才能达到mA级；因此，即使正向偏压的PN结也存在一个导通电压VON，只有当vD大于VON时，PN结才有明显的正向电流iD。第29页，共79页，星期日，2025年，2月5日vD(V)iD(mA)VONPN结的伏安特性曲线：第30页，共79页，星期日，2025年，2月5日二极管的特性与PN结的特性基本相同。1、二极管的伏安特性形式上，二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相同：二极管的核心是PN结。三、二极管的特性及模型式中：IS为二极管的反向饱和电流，比PN结的略大一点。第31页，共79页，星期日，2025年，2月5日①二极管的单向导电特性二极管正偏时，其伏安特性可近似为：二极管反偏时，其伏安特性可近似为：正偏二极管存在一个导通电压VON，小功率硅二极管导通电压的典型值VON=0.7V，小功率锗二极管导通电压的典型值VON=0.3V。第32页，共79页，星期日，2025年，2月5日二极管反偏时，锗管的反向饱和电流至少比硅管大三个数量级以上。温度增加时，二极管的反向饱和电流明显增大。②二极管的反向击穿导电特性反向击穿现象——PN结的反偏电压大到一定值时，反向电流会急剧增大。反向击穿原因：第33页，共79页，星期日，2025年，2月5日雪崩击穿——价电子被碰撞电离，发生于低掺杂PN结；击穿电压一般在6V以上；齐纳击穿——价电子被场致激发，发生于高掺杂PN结；击穿电压一般在6V以下。只要保证击穿时平均管耗不超过允许值，二极管的反向击穿是一种可逆的电击穿。第34页，共79页，星期日，2025年，2月5日二极管的反向击穿特性曲线：vDiD稳压二极管（稳压管）是一种专门工作在反向击穿状态的二极管。第35页，共79页，星期日，2025年，2月5日2、二极管的直流电阻和交流电阻二极管的伏安特性表明其为非线性电阻。二极管的直流电阻——一般将二极管的直流电压VD和直流电流ID称为二极管的工作点Q，将该工作点Q处直流电压直流与电流的比值定义为直流电阻RD，即：第36页，共79页，星期日，2025年，2月5日二极管的交流电阻——将二极管工作点Q处微变电压增量与微变电流增量的比值定义为交流电阻rd，即：第37页，共79页，星期日，2025年，2月5日3、二极管模型分析含二极管的电路时，由于涉及二极管伏安特性（也称为二极管方程）这样的非线性方程，工程上一般不采取直接计算的方法。工程上常用的一种方法是图解法，又称负载线法；第38页，共79页，星期日，2025年，2月5日vDiDiDvD+-300Ω3V例1：用图解法求图示电路的vD和iD。0.727.6第39页，共79页，星期日，2025年，2月5日工程上常用的另一种方法是模型法——用理想元件构成的等效电路来近似非线性器件。①二极管的大信号模型理想开关模型：恒压源模型：vDiDvDiD第40页，共79页，星期日，2025年，2月5日折线近似模型vDiD例1.1(p18)：用模型法求图示电路的vD和iD。iDvD+-300Ω3V二极管用恒压源模型vD=0.7V,iD0第41页，共79页，星期日，2025年，2月5日iDvD=0.7V+-300Ω3V②二极管的小信号模型一般情况下iD=ID+id、vD=VD+vd，若id、vd足够小，在工作点Q（ID、VD）附近二极管可以线性化，根据叠加原理，可以分别进行ID、VD及id、vd分析。第42页，共79页，星期日，2025年，2月5日计算ID、VD称为求工作点Q，需画出只反映ID、VD的电路——直流通路；计算id、vd称为交流小信号分析，需画出只反映id、vd的电路——交流通路，相应需要二极管的小信号模型。二极管的小信号模型就是二极管在工作点Q处的交流电阻rd。第43页，共79页，星期日，2025年，2月5日例2：图示电路中v=2sin(2π×104t)mV，C=200mF，求id。iDvD+_300Ω3V+_vC解：画出直流通路VDID+_300Ω3V第44页，共79页，星期日，2025年，2月5日二极管用恒压源模型求出工作点Q的交流电阻IDVD=0.7V300Ω3V第45页，共79页，星期日，2025年，2月5日画出交流通路+_vi