降低输出电压来维持输出电流的大小.PPTVIP

MOS管（开关管）的选择MOS管的耐压选择：Vdss=2*VdcmaxDS极间耐压要是两倍的直流输入最大电压MOS管的耐电流选择：Idrms=Iout*[1.2(Po/Vdcmin)/1-Dmax]Idrms:MOS所通过的电流有效值Iout:输出电流Po:输出功率Vdcmin:最小输入直流电压值Dmax：最大占空比MOS的导通损耗计算Psw=Idrms^2*Rds有效电流值的平方乘上MOS内阻变压器的简单设计首先确定已知参数：1）开关频率：Fsw；2）变压器的效率：η；3）最大占空比：Dmax；4）输入电压范围：Vinmin,Vinmax5）输出电压Vout6）输出电流Iout7）K=0.4(DCM=1,CCM=0.3~0.5)；8）输出二极管管压降Vf9）辅助绕组电压Vb10）辅助绕组二极管管压降Vfb设计步骤一输入功率Pin=(Vout*Iout)η输入电流平均值Iin_avg=Pin/(√2*Vinmin*Dmax)初级电感量Lp=(√2*Vinmin*Dmax)^2/2*Pin*Fsw*K纹波电流⊿I=√2*Vinmin*Dmax/Lp*Fsw设计步骤二再确认参数根据设计功率和结构空间选择磁芯选好磁芯确定磁芯材质选出ui值确定材质找出相对温度的Bs(饱和磁通密度)一般选择60°相对的Bs.找出Ae（磁芯实际截面面积）、Acw（磁芯总卷线截面面积）、Ve（磁芯实效体积）值设计步骤三计算输入电流峰值Ipk=(Iin_avg*⊿I/2)*1.2计算AP值AP=Ae*Acw计算初级圈数确认选择NP1=(√2*Vinmin*Dmax)/ui*Fsw*AeNP2=LP*Ipk/Bs*AeNP=|NP1ifNP1NP2|NP2otherwise匝比的计算n=[Dmax/(1-Dmax)]/Vout+Vf次级线圈的计算NS=NP/n辅助绕组线圈的计算Nfb=(Vf+Vfb/Vout+Vf)*NS反推验证DmaxDmax=[n*(Vout+Vf)]/[√2*Vinmin+n*(Vout+Vf)]气隙的计算Lg=4*3.14*10^-7*NP^2*Ae/Lp为什么要开气隙？反激变换器中，变压器起着电感和变压器的双重作用，因而变压器磁芯处于直流偏磁状态，为防磁饱和因此要加入气隙。防止磁芯饱和不仅只有开气隙一种方法，另外一种是增加磁心的体积；不过通常设计时空间已经限制了磁芯的大小，所以实际设计中开气隙的方法应用的比较多；这两种方法都可以使磁心的磁滞回线变得“扁平”，这样对于相同的直流偏压，就降低了工作磁通的密度。关于反激变压器的气隙变压器的线径选择变压器的线径计算是有规定的，特别是反激式电源变压器更应该注意？自然冷却时j=1.5~4A/mm2，强迫冷风时3~5A/mm2。在不同的频率下选取d也是不同的，在200KHz以下时，一般为4~5A/mm2，在200KHz以上时，一般为2~3A/mm2。变压器的绕制方法为了减少漏感，目前最好的、工艺最简单的绕制方法是初次级交错绕法也就是大家常说的三明治绕法。变压器档案的制作要求举例说明变压器档案下次培训讲--次级侧部分谢谢！（下）反激开关电源特点优点成本低，外围元件少，低耗能，可设置多组输出。缺点输出纹波比较大。弥补缺陷的方法输出加低内阻滤波电容或加LC噪声滤波器可以改善电动自行车电源电路原理图次级侧电路原理图次级整流二极管的选型为了降低输出整流损耗，次级整流二极管一般选用肖特基二极管，肖特基二极管有较低的正向导通压降Vf，能通过较大的电流。输出整流二极管的耐压值二极管的平均电流值二极管的峰值电流值次级整流管的热设计二极管的热损耗包括正向导通损耗、反向漏电流损耗及恢复损耗。因为选用的是肖特基二极管，反向恢复时间短和漏电流比较小，可忽略不记。二极管的PN结对环境的热阻可以通过DATASHEET查得Rthjc=1.2°C/WTj=Rthjc*Vf*Id_rms+TaTa为工作的环境温度Tj为二极管工作温度理论值Vf表示二极管的正向导通压降Id_rms表示通过二极管的平均电流吸收回路吸收的本质，什么是吸收？在拓扑电路的原型上是没有吸收回路的，实际电路中都有吸收，由此可以看出吸收是工程上的需要，不是拓扑需要。