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超导量子芯片的表面污染物对量子比特性能的影响分析1

超导量子芯片的表面污染物对量子比特性能的影响分析

摘要

超导量子芯片作为量子计算技术的核心载体，其性能直接影响量子计算机的实用

化进程。本文系统分析了表面污染物对超导量子比特性能的影响机制，通过理论建模、

实验验证和数据分析，揭示了污染物与量子比特相干时间、能级结构和量子门保真度

之间的定量关系。研究表明，微米级污染物可导致量子比特T1时间降低30%50%，而

纳米级污染物则主要引起能级偏移和退相干效应。基于此，本文提出了基于等离子体

清洗、原子层沉积和原位监测的综合解决方案，并设计了相应的工艺优化方案。实验数

据显示，优化后的工艺可使量子芯片良品率提升25%，平均相干时间延长至80微秒以

上。本研究为超导量子芯片的规模化制造提供了理论依据和技术支撑，对推动我国量子

计算产业发展具有重要意义。

引言与背景

1.1量子计算发展现状

量子计算作为颠覆性计算范式，正在全球范围内引发新一轮科技竞赛。根据国际量

子技术报告显示，2022年全球量子计算市场规模达到48亿美元，预计2030年将突破

650亿美元。我国在”十四五”规划中将量子科技列为重点发展领域，投入超过100亿元

用于相关技术研发。超导量子计算作为最具产业化前景的技术路线，其核心在于量子芯

片的制备工艺。目前，谷歌、IBM等国际巨头已实现127量子比特芯片的研制，而我

国也成功研制出62比特超导量子芯片”祖冲之号”，在量子优越性实验中取得重大突破。

1.2超导量子芯片技术特点

超导量子芯片基于约瑟夫森结构建量子比特，利用超导电路的量子特性实现信息

处理。其核心优势在于：一是可扩展性强，可采用半导体工艺批量制造；二是相干时间

较长，当前技术已实现毫秒级相干；三是操控精度高，单比特门保真度可达99.9%以

上。然而，超导量子芯片对制备环境要求极为苛刻，任何微小的污染物都可能导致量子

比特性能显著下降。研究表明，10纳米级的有机污染物即可使量子比特T1时间降低

20%，这成为制约超导量子芯片良品率提升的关键瓶颈。

1.3表面污染问题的重要性

表面污染是超导量子芯片制备过程中面临的主要挑战之一。污染物主要来源于三

个方面：一是制备环境中的颗粒物，如硅尘、金属颗粒等；二是工艺过程中引入的有机

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残留，如光刻胶、溶剂等；三是材料本身含有的杂质元素。这些污染物通过多种机制影

响量子比特性能：改变超导薄膜的电磁特性、引入额外的能量损耗通道、形成寄生耦合

等。随着量子比特数量的增加和尺寸的缩小，表面污染的影响将更加显著。因此，系统

研究表面污染物对量子比特性能的影响，对推动超导量子计算产业化具有重要意义。

研究概述

2.1研究目标与意义

本研究旨在建立表面污染物与超导量子比特性能之间的定量关系模型，开发有效

的污染控制技术，提升量子芯片的制备良品率。具体目标包括：揭示不同类型污染物的

作用机制，建立污染物浓度与量子比特参数的数学模型，开发低损伤的表面清洁工艺，

制定量子芯片制备的洁净度标准。研究成果将直接服务于我国超导量子芯片的规模化

生产，预计可使量子芯片良品率从当前的30%提升至55%以上，大幅降低制造成本。

同时，本研究还将为量子芯片的可靠性评估提供理论依据，推动量子计算技术的实用化

进程。

2.2研究内容与范围

本研究主要包含以下四个方面内容：一是污染物类型与来源分析，系统梳理超导量

子芯片制备过程中可能遇到的各种污染物；二是作用机制研究，通过理论计算和实验验

证揭示污染物影响量子比特性能的物理机制；三是检测技术开发，建立高灵敏度的表面

污染检测方法；四是工艺优化方案，基于研究结果提出改进的制备工艺。研究范围涵盖

从基板清洗到封装测试的全流程，重点关注铝基超导量子芯片的制备工艺。研究对象包

括单量子比特器件和多量子比特阵列，污染物尺寸范围从1纳米到10微米。

2.3技术路线与创新点

本研究采用”理论建模实验验证工艺优化”的技术路线。首先通过第一性原理计算和

电磁仿真建立污染物影响的理论模型；然后设计对比实验验证模型预测；最后基于研究

结果优化制备工艺。主要创新点包括：首次建立污染物尺寸与量子比特T1时间的定量

关系；开发适用于量