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半导体制造技术题库试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.在半导体制造中，用于提纯高纯度硅的主要方法是？

A.溅射

B.化学气相沉积

C.直拉法或区熔法

D.等离子体刻蚀

2.以下哪种光刻技术使用的光源波长最短？

A.i-line

B.KrF

C.ArF

D.EUV

3.在CMOS器件制造中，形成栅氧化层主要采用哪种工艺？

A.离子注入

B.热氧化

C.化学气相沉积

D.等离子体刻蚀

4.以下哪种薄膜沉积技术属于物理气相沉积？

A.LPCVD

B.PECVD

C.MOCVD

D.磁控溅射

5.光刻工艺中，定义图形转移保真度的关键参数是？

A.曝光能量

B.光刻胶厚度

C.线宽粗糙度（LWR）

D.掩模版对比度

6.对于金属互连层，通常采用哪种刻蚀技术以获得垂直的侧壁？

A.各向同性湿法刻蚀

B.各向异性干法刻蚀（如RIE）

C.平面化各向异性刻蚀（PAE）

D.等离子体增强化学刻蚀（PECE）

7.在离子注入工艺中，控制注入离子横向扩散的主要方法是？

A.提高注入能量

B.提高注入剂量

C.进行高温退火

D.使用轻离子

8.半导体器件制造过程中，化学机械抛光（CMP）的主要目的是？

A.沉积功能薄膜

B.刻蚀特定材料

C.实现硅片表面的超光滑和平整化

D.掺杂改变器件特性

9.MOSFET器件的导电沟道是在哪种材料中形成的？

A.栅极氧化层

B.半导体衬底

C.多晶硅栅极

D.金属源极和漏极

10.肖特基二极管利用的是金属与半导体接触形成的哪种结构？

A.PN结

B.肖特基势垒

C.MOS电容

D.晶界

二、填空题（每空2分，共20分）

1.硅片在进入光刻工艺前，需要进行清洗以去除表面颗粒、金属离子和自然氧化层，常用的清洗液例如______、______和SC1等。

2.光刻胶根据其成分和性能，主要分为正胶和负胶，其中对于要求高分辨率图形，通常选用______光刻胶。

3.离子注入后，为了使注入的杂质原子能量降低并进入晶格间隙，需要进行______处理。

4.在半导体器件结构中，N型掺杂区与P型掺杂区形成的界面称为______。

5.CVD（化学气相沉积）工艺中，反应物通过物理气化方式输入反应室的是______CVD。

6.刻蚀工艺根据是否使用等离子体，可以分为______刻蚀和湿法刻蚀。

7.用于制造现代集成电路晶圆的硅片，其直径通常为______英寸。

8.MOSFET器件根据其栅极结构，可以分为平面MOSFET、FinFET和______等类型。

9.半导体制造过程中，用于监测和控制系统参数的设备，如实时监测光刻胶曝光量的设备称为______。

10.限制半导体器件尺寸不断缩小的关键技术之一是发展更高分辨率的______技术。

三、名词解释（每题3分，共15分）

1.集成电路（IC）

2.晶体缺陷

3.光刻胶

4.掺杂浓度

5.平面化工艺

四、简答题（每题5分，共20分）

1.简述光刻工艺的主要步骤及其目的。

2.比较物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）技术的优缺点。

3.解释什么是离子注入的“能量分散”和“剂量均匀性”问题，并简述如何控制。

4.简述化学机械抛光（CMP）工艺的基本原理及其在半导体制造中的作用。

五、计算题（每题7分，共14分）

1.在一次离子注入工艺中，使用能量为50keV的Ar?离子，注入剂量为1×101?cm?2。假设注入系统的能量分散（RMS）为2%。计算实际注入的离子平均射程（Range）和标准偏差（σ）大概是多少微米？（提示：可使用近似公式R≈(E/0.015)^{1.69}，单位E为MeV，R为微米；能量分散σ_R≈0.002*R）

2.某PECVD设备用于沉积SiO?薄膜，工艺参数设定如下：反应气体为SiH?和N?，总压强为500mTorr，射频功率为300W，腔室温度为350°C。简述该PECVD沉积SiO?的化学反应方程式，并说明射频功率和温度对该沉积速率和薄膜特性的影响。

六、综合题（10分）

结合你所学的半导体制造知识，简述从硅片进入光