区熔多晶硅高压启动系统设计.docxVIP

区熔级多晶硅在液晶显示器、新能源、半导体等产品生产过程中应用广泛，但国内基本依赖进口。鉴于此，结合区熔多晶硅生产的工艺特点，介绍了其电源系统，重点分析设计了一套适应生产区熔多晶硅的高压击穿系统。

半导体行业的主要原材料是电子级多晶硅，它是半导体器件、集成电路、大功率电力电子器件的基础性材料，尤其是区熔级多晶硅，区熔级多晶硅属于电子级多晶硅细分产品，它的生产技术壁垒较高，海外企业占据全球市场主导地位，主要供应商为德国瓦克集团和挪威RECSilicon公司[1]。区熔多晶硅的生产工艺主要是采用改良西门子法，即在化学气相沉积（CVD）反应器内用氢气还原三氯氢硅或硅烷气加热分解而得到。反应器电源系统是生产区熔多晶硅的核心设备之一，用以实现反应器内部温度控制，由于其单炉生产周期较长，所以反应器电源系统的稳定运行和内部温度的精确控制，对能否生产出合格、高纯的区熔多晶硅产品有直接影响，而硅芯击穿则是反应器运行的前置条件。某项目引进国外的先进技术，拟建设年产300t高纯电子级多晶硅产线。在项目建设中，结合高纯电子级多晶硅工艺要求，对国内成熟的CVD反应器电源系统进行了技术改造，实现了与区熔多晶硅的生产工艺需求相适配，生产出了高品质的区熔多晶硅。

?一、反应器内进行的化学反应原理

该项目采用硅烷热分解法，四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅技术，三氯氢硅经两步歧化、精馏制备硅烷技术，再将生产的高纯硅烷气送入CVD反应器，在炉内通电的高温硅芯（硅棒）的表面，硅烷气受热分解还原，产生的硅元素沉积在硅芯表面，逐渐生成棒状多晶硅，使硅棒直径不断长大，直至达到规定尺寸，只有少量硅烷没有参与反应，但反应过程中放出大量的氢气，通过尾气分离纯化回收氢气，主要反应式如下：

SiH4=2H2+Si?

二、CVD反应器电源系统

CVD反应器电源系统在多晶硅生产中的主要作用是在反应器启动阶段将硅芯击穿形成一个电气回路，运行阶段在硅棒回路上施加设定的电流，用以控制反应器内部温度，使得硅烷气在反应器内发生热分解而沉积。CVD反应器电源系统主要由三部分组成，分别为启动阶段的击穿系统、运行阶段的调功系统和上位机控制保护系统，如图1所示[2]。

如图2所示，反应器内的硅棒在生产过程中，需要经历“启动”和“运行”两个模式。

在t0—t1时间段，为“启动模式”，高压启动电源系统对每对硅棒最大可以提供初始高电压。高压启动电源系统对炉内硅棒依次进行击穿，形成电气回路。

在t1—tn时间段，为“运行模式”，由还原电源系统对炉内硅棒进行供电，这段时间大约为300h。在这段时间内电源系统有“并联运行”和“串联运行”两种运行状态，其中，当硅棒电流在15～200A时，电源系统工作在“并联运行”，当硅棒电流≥200A时，电源系统工作在“串联运行”[3]。

由此可见，启动模式是将所有硅芯按一定排列方式形成电气回路，供后续运行模式施加设定的电流，是整个区熔多晶硅生产的先决条件。

三、硅芯击穿系统设计

硅芯是半导体，通过加热改变半导体的电阻率，使其成为导体的过程就是硅芯的击穿过程。目前多晶硅生产企业主要通过预热-中压击穿和高压击穿两种方式对硅芯进行击穿。

3.1、预热-中压击穿方式

硅芯是一种半导体材料，其导电性能介于导体与绝缘体之间，其电阻率随着硅芯的温度升高而下降，其数学关系式可以表示为[4]：

ρ=αeβ/T

式中：ρ为硅材料的电阻率；α、β为硅半导体材料的常数；T为温度。

硅的电阻率随温度变化的曲线如图3所示[5]。

预热-中压击穿就是利用了硅的这一半导体负阻特性，选用超声波加热器或卤素灯加热器等加热，在氮气氛围下预热到400℃以上，硅芯电阻率大幅降低，当电阻率下降到某一值时，在硅芯两端施加中压电压（2～3kV），硅芯就会导通，有电流通过。

3.2、高压击穿方式

使用卤素灯加热器预热，需要打开反应器顶，放入卤素灯，炉内温度加热到一定程度后需再次打开反应器顶，取出卤素灯。其操作烦琐，且极易给反应器内带入杂质，这对于电子级多晶硅的生产显然是不合适的。

超声波加热器一般在反应器视镜窗口处，能有效避免开炉顶等操作，但又会带来额外的风险，容易造成视镜窗口泄漏，且由于区熔多晶硅的工艺特殊性，在硅芯外面还有夹套，其加热性能无法保证或需要很大功率的超声波。

由此可见，预热-中压击穿方式完全不适用区熔多晶硅的生产工艺。该项目采用了高压击穿方式，在氢气氛围下，在每对硅芯两端施加高电压，使硅芯形成导电回路，如图4所示。本方案操作相对简单，能减少带入的污染，还可提高产品品质。

在本方案中，反应炉内的硅芯棒分为3组，每组6对棒，将高压启动电源系统设计为所有反应器的公共供电设备，共设置6台高压启动电源。

硅芯冷态电阻率很大，击穿电压通常在数千伏以上，这是因为硅材料中存在大量的杂质和缺陷，这些杂质和缺陷会在电场的作用下发