低维WTe₂和GaTe材料微纳器件：加工工艺与性能的深度剖析.docx

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2025-12-08 发布于上海
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低维WTe?和GaTe材料微纳器件：加工工艺与性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，微纳器件作为现代信息技术的核心组成部分，其性能的提升对于推动电子、通信、能源等众多领域的进步具有至关重要的作用。随着对器件小型化、高性能化和多功能化的需求不断增长，低维材料因其独特的物理性质，在微纳器件领域展现出了巨大的应用潜力，成为了研究的热点。低维材料，如二维材料和一维纳米材料，由于其原子尺度的维度限制，表现出与体材料截然不同的电学、光学、力学和热学等性质。这些独特性质源于低维材料的量子限域效应、表面效应和边缘效应等。量子限域效应使得电子在低维材料中的运动受到限制，导