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材料科学基础期末考试题库及答案

一、单项选择题（共15题，每题2分，共30分）

下列哪种结合键不存在方向性和饱和性？（）

A.共价键B.离子键C.金属键D.氢键

面心立方（FCC）晶体的致密度为（）

A.0.68B.0.74C.0.80D.0.92

晶体中的空位属于（）缺陷

A.点缺陷B.线缺陷C.面缺陷D.体缺陷

下列哪种现象不属于扩散的微观机制？（）

A.间隙扩散B.空位扩散C.自扩散D.孪生

二元合金相图中，共晶反应的表达式为（）

A.L→α+βB.L+α→βC.α→β+γD.L+α→β+γ

金属冷加工后，其强度升高、塑性下降的现象称为（）

A.固溶强化B.加工硬化C.细晶强化D.弥散强化

体心立方（BCC）晶体的滑移系数量为（）

A.3B.6C.12D.24

下列哪种相图属于匀晶相图？（）

A.Cu-NiB.Fe-CC.Pb-SnD.Al-Si

扩散系数D与温度T的关系符合（）

A.线性关系B.指数关系C.对数关系D.反比例关系

晶体中位错的柏氏矢量b表示（）

A.位错的长度B.位错的运动方向C.位错引起的原子滑移量D.位错的密度

固溶体中，溶质原子优先占据溶剂晶格间隙位置的称为（）

A.置换固溶体B.间隙固溶体C.有序固溶体D.无序固溶体

铁碳相图中，共析反应的温度为（）

A.1538℃B.1148℃C.727℃D.600℃

材料在断裂前吸收能量的能力称为（）

A.强度B.硬度C.韧性D.塑性

下列哪种因素会降低扩散速率？（）

A.升高温度B.增大浓度梯度C.增加晶体缺陷D.降低扩散激活能

金属热处理中，“淬火”的主要目的是（）

A.细化晶粒B.降低硬度C.获得马氏体D.消除内应力

二、判断题（共10题，每题1分，共10分，正确打√，错误打×）

晶体具有各向异性，而非晶体具有各向同性。（）

位错只能在同一滑移面上运动。（）

固溶强化的本质是溶质原子阻碍位错运动。（）

扩散只能在高温下发生，常温下扩散速率为零。（）

共晶反应和共析反应都是三相平衡反应。（）

金属的晶粒越细，其强度越高，塑性越差。（）

离子晶体的结合力主要是库仑力。（）

滑移是晶体塑性变形的唯一方式。（）

相图中的“相区”代表了一定温度和成分范围内存在的稳定相。（）

马氏体是碳在α-Fe中的过饱和固溶体，具有高硬度和高脆性。（）

三、简答题（共5题，每题6分，共30分）

简述晶体缺陷的类型及各类缺陷对材料性能的影响。

解释“固溶强化”的机理，并说明影响固溶强化效果的因素。

画出二元共晶相图的示意图，标注各相区、共晶反应线及反应式，并说明共晶合金的凝固过程。

简述扩散的微观机制及影响扩散速率的主要因素。

分析金属冷加工和热加工的区别，说明冷加工后材料的性能变化及回复、再结晶的作用。

四、计算题（共2题，每题10分，共30分）

计算面心立方晶体中（111）晶面的面间距。已知晶体的晶格常数a=0.405nm。

已知某二元合金在800℃时的扩散系数D1=2.5×10^-14m2/s，激活能Q=120kJ/mol，计算该合金在1000℃时的扩散系数D2（气体常数R=8.314J/(mol?K)）。

答案部分

一、单项选择题

C2.B3.A4.D5.A6.B7.C8.A9.B10.C11.B12.C13.C14.无正确选项（注：原选项均为提高扩散速率的因素，修正提示：降低温度会降低扩散速率）15.C

二、判断题

√2.×3.√4.×5.√6.×7.√8.×9.√10.√

三、简答题

晶体缺陷类型及影响：

类型：点缺陷（空位、间隙原子、杂质原子）、线缺陷（位错）、面缺陷（晶界、亚晶界、表面）。

影响：点缺陷导致晶格畸变，提高强度和硬度，降低导电性；位错是塑性变形的主要载体，位错密度增加使强度升高（加工硬化）；面缺陷（晶界）阻碍位错运动，细化晶粒可同时提高强度和塑性（细晶强化）。

固溶强化机理及影响因素：

机理：溶质原子融入溶剂晶格形成固溶体，引起晶格畸变，产生应力场，阻碍位错的滑移运动，从而提高材料强度。

影响因素