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半导体材料干法生长技术详解与测试.docx

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    半导体材料干法生长技术详解与测试

    一、单选题（共10题，每题2分）

    1.在半导体材料干法生长技术中，以下哪种气体常用于硅的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）？

    A.氮气

    B.氢气

    C.氮化氢

    D.氯化氢

    2.干法生长技术中，等离子体源的主要作用是什么？

    A.提供热能

    B.提供化学物质

    C.激活反应气体分子

    D.控制晶格结构

    3.以下哪种设备常用于半导体材料的干法外延生长？

    A.溅射炉

    B.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备

    C.光刻机

    D.腐蚀机

    4.在干法生长技术中，反应腔体的真空度通常要求达到多少？

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