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工艺体硅微加工技术;优选工艺体硅微加工技术;腐蚀工艺简介;大部分的微加工工艺基于“Top-Down”的加工思想。

“Top-Down”加工思想:通过去掉多余材料的方法,实现结构的加工。(雕刻——泥人);;第6页,共46页。;湿法腐蚀;湿法腐蚀——方向性;各向异性腐蚀和各向同性腐蚀;;第11页,共46页。;第12页,共46页。;硅的各向异性腐蚀;硅的各向异性腐蚀技术;湿法腐蚀的化学物理机制;湿法腐蚀的化学物理机制;;各向异性腐蚀的特点:

腐蚀速率比各项同性腐蚀慢,速率仅能达到1um/min

腐蚀速率受温度影响

在腐蚀过程中需要将温度升高到100℃左右,从而影响到许多光刻胶的使用;各向异性腐蚀液;1.KOHsystem;1.KOHsystem;2.EDPsystem;EDP腐蚀条件;3、N2H4(联氨、无水肼);4、TMAH;腐蚀设备;硅和硅氧化物典型的腐蚀速率;影响腐蚀质量因素;?111?面凹角停止;?110?方向硅片的腐蚀特点;第31页,共46页。;(1)溶液及配比

;(2)温度;各向同性腐蚀;优点:

无尖角,较低应力

刻蚀速度快

可用光刻胶掩膜;第36页,共46页。;三、自停止腐蚀技术;(1)重掺杂自停止腐蚀(KOH和EDP:5?1013/cm3)

(2)(111)面停止

(3)时间控制

(4)P-N结自停止腐蚀

(5)电化学自停止腐蚀;自停止腐蚀典型工艺流程;1、薄膜自停止腐蚀;3、(111)面自停止腐蚀;(111)面自停止腐蚀工艺流程;腐蚀保护技术;第44页,共46页。;薄膜残余应力问题;谢谢大家!

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