硅基片上偏振调控器件研究.pdfVIP

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种新型PBS结构,该PBS器件对于TE-偏振态,具有100nm带宽范围内消光比一直大于40dB

的优秀性能。同时,利用这一结构,我们可以在SiN平台上完成类似的偏振分束器的设计,

为解决包层芯层折射率差很小时的偏振分束器结构提供了设计思路。

第三,针对偏振旋转器方面:我们面向目前常用的光通信波段C波段,提出了一种基

于锥形渐变的槽型波导结构,该结构基于超模演化理论,相较于目前已有的硅基片上偏振

旋转器结构,具有大带宽,低损耗的优点。我们针对最小线宽180nm和最小线宽150nm,

分别设计了两组偏振旋转器参数,针对最小线宽180nm的成熟光刻工艺兼容偏振旋转器,

仿真验证工作中心波长的最大消光比可达48dB,同时保证100nm带宽范围内消光比大于

12dB。并完成了相应的器件加工制造,测得性能100nm带宽范围内消光比大于10dB,同时

损耗小于1dB。为获得更好的宽带性能,我们将最小线宽降到150nm,并得到了100nm带宽

范围内消光比大于20dB的大带宽超高消光比偏振旋转器仿真性能。

第四,针对偏振旋转-分束器方面:我们面向目前色散损耗最低的O波段,提出了一种

使用粒子群算法优化的超紧凑型偏振旋转-分束器结构。相较于目前已有结构,该偏振旋转

-分束器在保持大带宽、高消光比、低损耗的前提下,将正常情况下几百μm长度的器件尺

寸缩小到60μm。为将来如何在固定芯片尺寸前提下,更加紧凑的排布器件,增加器件个数

提供了解决方法。

最后,对全文的主要工作做出了总结,并对硅基片上偏振调控工作做出展望。

关键词:硅基光子学,偏振分束,偏振旋转,偏振调控

Abstract

Sincethe21stcentury,alongwiththedevelopmentoftheInternettechnologyandthe

popularityofintelligentterminal,especiallytheadventageofthe5G,andtheresultingInternet

OfThingsdevelopmentandtheintroductionofnewconcepts,suchascloudcomputing,including

therecentoutbreakoftheCOVID-19,thevigorousdevelopmentoftheemergingonlineservices,

peopleworkanddailylifeofgrowingneedfordatacommunicationspeed,capacity,etc.Silicon

photonicsintegratedcircuits(SPICs),withitslowloss,compactstructure,CMOSprocess

compatibilityandaseriesofadvantages,asanewgenerationofopticalcommunication,optical

interconnectiontechnologysupporthasattractedmoreandmoreattention.Therearemanymature

devicesplayimportantrolesinthedatacenterapplicationscenariossuchaspluggableoptical

module,butatthesametime,weshouldalsorealizethemoreefficientandrapidlargercapacity

silicon-basedphotonchipisstillourresearchdirectionandhasdifficultiestoovercome,wewill

furtherenhancethedeviceperformance,reducethelossofthetransm

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