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Cr/Au欧姆接触系统赋能850nmVCSEL性能优化与应用拓展研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，信息的快速、高效传输成为推动社会发展的关键因素。光通信作为现代通信网络的核心支柱，凭借其卓越的带宽优势、极低的信号损耗以及出色的抗电磁干扰能力，在互联网、电视影音、医疗诊断、金融交易等众多领域得到了广泛应用，成为支撑现代社会信息流通的重要基础设施。随着云计算、大数据、物联网以及5G通信等新兴技术的迅猛发展，数据中心的流量呈现出爆发式增长态势。这对短距离光互连技术提出了前所未有的严苛要求，需要其具备更高的传输速率、更大的传输容量以及更低的功耗，以满足海量数据的高速传输需求。

垂直腔面发射激光器（Vertical-CavitySurface-EmittingLaser，VCSEL）作为一种新型的半导体激光器，因其独特的垂直腔结构和优异的性能，在众多领域展现出了巨大的应用潜力，成为了研究的热点之一。其中，850nmVCSEL凭借其低功耗、大带宽、高可靠、低成本等显著优势，成为了短距离光互连的核心光源，在数据中心内部的高速数据传输中发挥着关键作用。例如，采用850nmVCSEL结合多模光纤传输与不归零（NRZ）调制，是实现100m级别短距离光互连的主要方案之一。目前，国际上已经实现了基于850nmVCSEL经107m光纤的60Gbit/s无误码传输，国内也在不断努力提升850nmVCSEL的性能，以满足日益增长的数据传输需求。

欧姆接触作为半导体器件中的关键组成部分，对于实现高效的电流注入和信号传输起着至关重要的作用。在850nmVCSEL中，欧姆接触的质量直接影响着器件的阈值电流、输出功率、调制速度等关键性能指标。Cr/Au欧姆接触系统由于其良好的导电性、稳定性以及与半导体材料的兼容性，在VCSEL中得到了广泛的应用。然而，目前对于Cr/Au欧姆接触系统在850nmVCSEL中的作用机制和性能优化的研究仍存在不足，限制了VCSEL性能的进一步提升。

本研究聚焦于基于Cr/Au欧姆接触系统的850nmVCSEL，深入探究Cr/Au欧姆接触系统对850nmVCSEL性能的影响机制，通过优化接触系统来提升VCSEL的性能，具有重要的理论意义和实际应用价值。在理论方面，有助于深入理解半导体器件中欧姆接触的物理机制，丰富和完善半导体物理理论体系。在实际应用中，有望为850nmVCSEL的产业化生产提供技术支持，推动光通信技术的发展，满足不断增长的高速数据传输需求，进而为云计算、大数据、物联网等新兴技术的发展提供有力支撑。

1.2国内外研究现状

国外对850nmVCSEL的研究起步较早，在基础理论和关键技术方面取得了众多成果。例如，Princetonoptronics公司在VCSEL器件研发方面成果显著，开发的850nmVCSEL阵列连续输出功率达1W，光谱宽度为0.8nm，具有波长输出稳定和可靠性高的优点，在3D成像、照明、导航、安全和监控摄像机以及VR等领域有着广泛应用。在欧姆接触研究方面，国外学者对多种金属组合的欧姆接触进行了深入探讨，研究了不同金属膜与半导体异质结构之间的欧姆接触性质，以及退火温度等因素对接触电阻率的影响，为Cr/Au欧姆接触系统的研究提供了理论基础和技术参考。

国内在850nmVCSEL研究方面也取得了长足进步。长春理工大学等单位设计制备的基于λ/2短腔和六层氧化限制层的高速850nmVCSEL，室温下最高-3dB带宽达到23.8GHz，在NRZ调制50Gbit/s（1m）和40Gbit/s（100m）速率下获得清晰的眼图，在未使用预加重、均衡和前向纠错的条件下，通过NRZ调制在1m和100m下无误码传输速率分别为40Gbit/s和30Gbit/s。清华大学常瑞华院士团队开发的基于啁啾高对比度超结构（chirpedHigh-ContrastMetastructure,chirpedHCM）的850nm单横模垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，实现了106GbpsPAM4传输速率，该设计有效抑制高阶模式，实现高质量、稳定的单横模激光输出。在Cr/Au欧姆接触系统研究方面，国内也有相关研究报道，主要集中在工艺优化和性能改进，但整体研究深度和广度与国外相比仍有一定差距。

尽管国内外在850nmVCSEL及Cr/Au欧姆接触系统研究上取得了诸多成果，但仍存在一些问题。在850nmVCSEL性能提升方面，如何进一步提高传输速率、降低功耗和成本，以及改善器件的稳定性和可靠性，仍是