场效应晶体管及其放大电路.pptVIP

MOS场效应管的微变信号模型第四节：场效应管放大电路第30页，共65页，星期日，2025年，2月5日结型场效应管的微变信号模型第四节：场效应管放大电路第31页，共65页，星期日，2025年，2月5日场效应管放大电路的要点第四节：场效应管放大电路分析方法与三极管放大电路相同，仍然是先静态后动态，既可以使用图解法又可以使用等效电路法注意偏置电路的设置（对于不同的场效应管来说有不同的设置需求）由于栅极电流为零，因此在等效模型中的栅极为悬空。受控电流源所反映的为栅源电压对漏极电流的控制作用跨导一般较小，从而使得场效应管放大电路的具体参数与三极管放大电路相比有一些不同之处第32页，共65页，星期日，2025年，2月5日偏置变量的相关回顾第四节：场效应管放大电路所谓偏置，就是给器件加一定的电压(或电流)，使其工作点偏离原点，以便器件能够在电路中按照人们的要求工作。对于放大运用来说，器件应工作于放大(恒流，饱和)区当大信号工作时，静态工作点的位置及动态运用的范围影响非线性失真当小信号运用时，只要是在放大区，静态工作点的位置并不影响非线性失真，但将影响放大量(动态范围)和功率消耗偏置电路应兼顾静态工作点的稳定、功率消耗。大信号运用时，静态工作点的不稳定还影响动态运用范围和功率损耗，后者将牵涉到器件的安全运用第33页，共65页，星期日，2025年，2月5日分压式偏置第四节：场效应管放大电路管状态的分析过程与三极管类似，即先假定管处于饱和状态并展开分析看结果是否一致对于不同类型的管子来说，应注意：N沟道增强型N沟道耗尽型N沟道结型P沟道型管电源电压应为负值第34页，共65页，星期日，2025年，2月5日自给偏压式偏置(一)第四节：场效应管放大电路静态时靠源极电阻上的电压为栅－源提供一个负的偏压，故称自给偏压增强型场效应管为同极性偏置结型场效应管为反极性偏置耗尽型MOS场效应管两者均可自给偏压适用于结型或耗尽型管第35页，共65页，星期日，2025年，2月5日自给偏压式偏置(二)第四节：场效应管放大电路偏置电阻对交流信号有损耗作用，也降低了放大电路的输入电阻在集成电路中，本级放大电路的输入端直流偏置通常由前级电路的输出提供必要时加入直流电平移动单元，称这种偏置方式为直接偏置第36页，共65页，星期日，2025年，2月5日场效应管的三种基本组态放大电路第四节：场效应管放大电路共源与共射对应共漏与共集对应共栅与共基对应第37页，共65页，星期日，2025年，2月5日场效应管基本共源放大电路第四节：场效应管放大电路基本特性及应用范围同共射电路第38页，共65页，星期日，2025年，2月5日场效应管基本共栅放大电路第四节：场效应管放大电路基本特性及应用范围同共基电路第39页，共65页，星期日，2025年，2月5日场效应管基本共漏放大电路第四节：场效应管放大电路基本特性及应用范围同共集电路第40页，共65页，星期日，2025年，2月5日场效应管基本电流源(一)第四节：场效应管放大电路T2管的，保证其工作在饱和区设忽略沟道长度调制效应后()，若两管参数对称则为镜像电流源，否则为比例电流源第41页，共65页，星期日，2025年，2月5日场效应管基本电流源(二)第四节：场效应管放大电路为了提高集成度，通常用有源电阻代替一般电阻合理设计T1、T3管的宽长比，即可得到符合要求的参考电流第42页，共65页，星期日，2025年，2月5日场效应管串联电流源第四节：场效应管放大电路T3、T4特性相同输出电流几乎不受电流源输出端电压的影响，从而使输出电阻大为提高，保证了良好的恒流特性第43页，共65页，星期日，2025年，2月5日场效应管威尔逊电流源第四节：场效应管放大电路三管均工作在饱和区具有很高的输出电阻由于串联电流源和威尔逊电流源在输出回路中串联有两个MOS管且要求两管均工作于饱和区，从而在电源电压一定的情况下，减小了输出端电压变化的动态范围第44页，共65页，星期日，2025年，2月5日MOS管有源电阻第四节：场效应管放大电路在工作点处DS之间的直流电阻为，小信号动态电阻可在Q点处切线斜率求得注意伏安特性曲线的做法也可用P沟道管构成类似电阻第45页，共65页，星期日，2025年，2月5日NMOS管共源E/E型放大电路第四节：场效应管放大电路放大管与负载管均为增强型MOS管的放大电路称为E/E放大电路第46页，共65页，星期日，2025年，2月5日场效应晶体管及其放大电路第1页，共65页，星期日，2025年，2月5日内容提要内容提要场