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基于第一性原理剖析二氧化铪材料缺陷诱发磁性的机制与影响

一、引言

1.1研究背景与意义

随着半导体技术持续向更小尺寸和更高性能迈进，对新型材料的需求愈发迫切。二氧化铪（HfO?）作为一种具有宽带隙和高介电常数的关键材料，在半导体领域展现出卓越的应用潜力，成为学术界和工业界的研究焦点。

在半导体器件中，二氧化铪主要用作栅极介电材料。随着芯片制程工艺不断缩小，传统的二氧化硅（SiO?）栅极介电材料因其较低的介电常数，难以满足高性能晶体管对降低漏电流和提高开关速度的要求。而二氧化铪的介电常数高达20-25，约为二氧化硅的5-6倍，能够在保持等效氧化层厚度（EOT）不变的情况下，显著增