第4章半导体光子学基础.pptVIP

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2025-12-16 发布于广东
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第4章半导体光子学基础.ppt

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在半导体材料中，假定其复数折射率为：（4-35）则复数介电常数为：（4-36）从电学课程得知，电极化强度可表达为：对于一维运动来说，（4-37）将（4-34）的x0表达式代入（4-42）式，并与（4-36）式相结合，则?的实部和虚部都可以表达为：（4-38）（4-39）*第30页，共56页，星期日，2025年，2月5日电磁波E在折射率为n的介质中传播时，如果传播方向为z，偏振方向为y，则其电场为：（4-40）式中（4-41）为k复折射率的虚部，?0为光波的自由空间波长。上式表明，吸收系数?同折射率n的虚部直接相关，亦即同介电常数?的虚部直接相关。由（4-39）式看出，如果入射光的角频率?逼近晶体中线性振子的角频率?0，则2nk逼近其最大值，此时出现强烈的光吸收.*第31页，共56页，星期日，2025年，2月5日对于半导体中的自由载流子电子和空穴来说，其振荡角频率?0远比光波角频率?0小得多，?0?上式可以简化为：（4-42）（4-43）上述公式的物理意义在于，半导体材料的折射率（实部）的平方同载流子浓度之间的关系存有一负号，也就是说，当半导体中注入高浓度载流子时，其折射率会因其浓度的增加而下降。由于注入载流子会引起激光器中不同区域的浓度差，因而引起折射率差，并由此构成波导层，对于激光器的工作模式与波长频谱特性都会产生影响。*第32页，共56页，星期日，2025年，2月5日如果晶体中吸收损耗足够小，在复折射率中，与n相比，k可以忽略不计，这相应于r?0，（4-42）式可以简化为：（4-44）可以看出，n2同载流子浓度的关系存在一负号，这表明自由载流子对折射率为负贡献。若两种半导体中的自由载流子浓度分别为N1、N2时，对应的折射率分别为n1、n2，那么：（4-45）式中n=(n1+n2)/2。上式表明，?n=(n1-n2)同–(N1-N2)成正比。如果N1》N2，上式可以简化为：（4-46）因此，载流子浓度高的半导体的折射率比其浓度低时的折射率低。*第33页，共56页，星期日，2025年，2月5日进一步计算得出阻尼因子r可表达为：