计算机存储系统课件.pptVIP

只读存储器掩膜式ROM掩膜式ROM一般由生产厂家根据用户要求定制的(有NMOS管或没有代表‘0’和‘1’)。第29页，共75页，星期日，2025年，2月5日只读存储器可编程的ROM出厂时，所有存储单元的熔丝都是完好的。编程时，通过字线选中某个晶体管。若准备写入1，则向位线送高电平，此时管子截止，熔丝将被保留；若准备写入0，则向位线送低电平，此时管子导通，控制电流使熔丝烧断。换句话说，所有存储单元出厂时均存放信息1，一旦写入0使熔丝烧断，就不可能再恢复。第30页，共75页，星期日，2025年，2月5日只读存储器可擦除可编程的ROM（EPROM）特点：芯片的上方有一个石英玻璃的窗口，通过紫外线照射，芯片电路中的浮空晶栅上的电荷会形成光电流泄漏走，使电路恢复起始状态，从而将写入的信号擦去。第31页，共75页，星期日，2025年，2月5日只读存储器可擦除可编程的ROM（EPROM）典型芯片：Intel27512特性：64K×8的EPROM芯片，28脚双列直插式封装，地址线为16条A15～A0，数据线8条O7～O0，带有三态输出缓冲，读出时只需单一的＋5V电源。第32页，共75页，星期日，2025年，2月5日只读存储器电可擦除可编程的ROM（E2PROM）应用特性：（1）对硬件电路没有特殊要求，编程简单。（2）采用＋5V电源擦写的E2PROM，通常不需要设置单独的擦除操作，可在写入过程中自动擦除。（3）E2PROM器件大多是并行总线传输的第33页，共75页，星期日，2025年，2月5日只读存储器闪速存储器（FlashMemory）FlashMemory芯片借用了EPROM结构简单，又吸收了E2PROM电擦除的特点；不但具备RAM的高速性，而且还兼有ROM的非挥发性。同时它还具有可以整块芯片电擦除、耗电低、集成度高、体积小、可靠性高、无需后备电池支持、可重新改写、重复使用性好（至少可反复使用10万次以上）等优点。平均写入速度低于0.1秒。使用它不仅能有效解决外部存储器和内存之间速度上存在的瓶颈问题，而且能保证有极高的读出速度。FlashMemory芯片抗干扰能力很强。第34页，共75页，星期日，2025年，2月5日5.4.1存储芯片与CPU的连接存储芯片的数据线存储芯片的地址线存储芯片的片选端存储芯片的读写控制线第35页，共75页，星期日，2025年，2月5日CPU与存储器的连接存储器容量扩充技术位扩充当实际存储芯片每个单元的位数和系统需要内存单元字长不等时采用的方法。字扩充当存储芯片上每个存储单元的字长已满足要求，但存储单元的个数不够，需要增加的是存储单元的数量，就称为字扩展。字位扩充需要同时进行位扩充和字扩充才能满足系统存储容量需求的方法称为字位扩充。第36页，共75页，星期日，2025年，2月5日1.存储芯片数据线的处理若芯片的数据线正好8根：一次可从芯片中访问到8位数据全部数据线与系统的8位数据总线相连若芯片的数据线不足8根：一次不能从一个芯片中访问到8位数据利用多个芯片扩充数据位这个扩充方式简称“位扩充”第37页，共75页，星期日，2025年，2月5日位扩充2114（1）A9～A0I/O4～I/O1片选D3～D0D7～D4A9～A02114（2）A9～A0I/O4～I/O1CECE多个位扩充的存储芯片的数据线连接于系统数据总线的不同位数其它连接都一样这些芯片应被看作是一个整体常被称为“芯片组”第38页，共75页，星期日，2025年，2月5日2.存储芯片地址线的连接芯片的地址线通常应全部与系统的低位地址总线相连寻址时，这部分地址的译码是在存储芯片内完成的，我们称为“片内译码”第39页，共75页，星期日，2025年，2月5日片内译码A9～A0存储芯片000H001H002H…3FDH3FEH3FFH全0全100…0000…0100…10…11…0111…1011…11范围（16进制）A9～A0第40页，共75页，星期日，2025年，2月5日3.存储芯片片选端的译码存储系统常需利用多个存储芯片扩充容量也就是扩充了存储器地址范围进行“地址扩充