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高K介质隧穿层赋能纳米硅浮栅存储结构性能优化的深度探究.docxVIP

高K介质隧穿层赋能纳米硅浮栅存储结构性能优化的深度探究.docx

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    高K介质隧穿层赋能纳米硅浮栅存储结构性能优化的深度探究

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在信息技术飞速发展的当下，半导体工艺持续进步，对存储器性能提出了愈发严苛的要求。半导体存储器作为现代电子设备的关键组成部分，广泛应用于计算机、移动设备、物联网等众多领域。随着集成电路特征尺寸不断缩小，传统的存储结构逐渐难以满足日益增长的高性能、低功耗、高集成度需求。

    纳米硅浮栅存储结构作为一种极具潜力的新型存储技术，备受关注。在该结构中，纳米硅量子点充当电荷存储单元，凭借其独特的量子尺寸效应和库仑阻塞效应，展现出诸多优势。一方面，纳米硅量子点的小尺寸特性有助于实现更高的存储密度，满足存储设备小型化、大容量

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