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MOSFET硅N沟道MOS(U‑MOS‑H)
TPH1111R403403403403NLTPHRNLTPHRNLTPHRNL
11.AplitonApplications
•高效率DC‑DC转换器
•开关电压调节器
22.特性Features
(1)高速开关(2)低栅极电荷：QSW=10.6nC（典型值）(3)低漏源导通电阻：
R=1.7mΩ（典型值）(V=4.5V)(4)低漏电流：I=10μA（最
DS(ON)GSDSS
大值）(V=30V)(5)增强模式：V=1.3至2.3V(V=10V,I=0.5
DSthDSD
mA)
33.封装和电路PagigannarcudItrnit
PackagingandInternalCircuit
4：栅极5、6、
4444..绝对最大额定值(注释)(TAblueMamumRaigs(Noe(TAbsoluteumRatings(Note)(TAbsoluteumRatings(Note)
(Taaaa=25nlssterwsespefednlssterwsespefedunsotherwisespecified)unsotherwisespecified)
特性符号Unit
漏源电压VDSS30V
栅源电压VGSS20
漏极电流（直流）（硅限制）(注释1)，(注释2)ID150A
漏极电流（直流）(T=25)(注释1)ID60
c
漏极电流（脉冲）(t=1ms)(注释1)IDP200
功耗(T=25)PD64W
c
功耗(t10s)(注释3)PD2.8
功耗(t10s)(注释4)PD1.6
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