《数字电子产品设计与制作》课件——二极管、三极管和场效应管的开关特性.pptxVIP

二极管、三极管和场效应管的开关特性主讲教师：田悦妍数字电子产品设计与制作

数字电子电路中的各种开关管

二极管的开关特性1.二极管的电路符号二极管加正向电压二极管加反向电压正极（阳极）负极（阴极）V电流方向阳极电位高阴极电位高

二极管的开关特性死区导通区截止区反向击穿区2.二极管的伏安特性曲线锗管硅管导通截止0.7V反向电流

二极管的开关特性3.二极管的开关电路及导通、截止时间二极管由导通进入截止的转换时间称为反向恢复时间。二极管由截止进入导通的转换时间称为开通时间。0110

三极管的开关特性NPN型三极管PNP型三极管bcebce1.三极管的电路符号及分类分类方法种类应用按极性分NPN型三极管目前常用的三极管，电流从集电极流向发射极PNP型三极管电流从发射极流向集电极按材料分硅三极管热稳定性好，是常用的三极管锗三极管反向电流大，受温度影响较大，热稳定性差按工作频率分低频三极管工作频率比较低，用于直流放大、音频放大电路高频三极管工作频率比较高，用于高频放大电路按功率分小功率三极管输出功率小，用于功率放大器末前级大功率三极管输出功率较大，用于功率放大器末级（输出级）按用途分放大管应用在模拟电子电路中开关管应用在数字电子电路中

三极管的开关特性2.三极管的输出特性曲线名称放大区范围平坦部分线性区，几乎与横轴平行条件发射结正偏，集电结反偏特征（1）当IB一定时，IC的大小与UCE基本无关；（2）IB不同，曲线也不同，IC受IB控制，具有电流放大特性，IC=hFEIB，△IC=β△IB工作状态放大状态

三极管的开关特性名称截止区范围IB=0曲线以下区域，几乎与横轴重合条件发射结反偏（或零偏），集电结反偏特征IB=0，IC=ICEO≈0工作状态截止状态，相当于开关断开

三极管的开关特性名称饱和区范围曲线上升和弯曲部分条件发射结正偏，集电结正偏（或零偏）特征各电极电流都很大，IC不受IB控制，三极管失去放大作用工作状态饱和状态，相当于开关闭合

三极管的开关特性3.三极管的开关电路三极管截止三极管饱和1001ARBVCCRCYCVTEB+

场效应管的开关特性场效应管JFETMOSFET实际中几乎不用EMOSDMOS1.场效应管的分类P-EMOSN-EMOSP-DMOSN-DMOS实际中应用少结型金属-氧化物-半导体型增强型耗尽型优点：集成工艺更简单，省电、工作电源电压范围宽等。使用最多

场效应管的开关特性2.NMOS和PMOS的区分箭头指向G极的为NMOS。箭头背向G极的为PMOS。S极G极D极N沟道MOSFET箭头指向G极的是N沟道S极G极D极P沟道MOSFET箭头背向G极的是P沟道

01场效应管的开关特性3.增强型NMOS的开关特性ui＜UT，MOS管处于截止状态，输出电压uo=VDD(此时RD上无电流流过)此时器件不消耗功率，相当于开关断开。ui＞UT，并且足够大时，使得MOS管工作在可变电阻区。d、s之间的导通电阻RON可由公式确定。当UGS越来越大，RD远大于RON时，电路输出低电平，相当于开关闭合。UT为开启电压

小结二极管的开关特性。二极管的导通、截止相当于开关闭合和断开。三极管的开关特性。三极管的饱和、截止，相当于开关闭合和断开。场效应管的开关特性。场效应管的UGS与开启电压相比较，从而产生了开关的闭合和断开。

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