采用PLD方法在多种基底上生长ZnMgO三元薄膜及紫外探测器的制备.docxVIP

采用PLD方法在多种基底上生长ZnMgO三元薄膜及紫外探测器的制备

一、引言

ZnMgO三元薄膜作为一种宽禁带半导体材料，在紫外探测、发光二极管等领域具有广阔的应用前景。脉冲激光沉积（PLD）方法因具有沉积速率可控、薄膜成分易调控、可在低温下制备高质量薄膜等优势，成为生长ZnMgO三元薄膜的理想技术之一。本文系统研究了采用PLD方法在蓝宝石、Si、石英三种常见基底上生长ZnMgO三元薄膜的工艺，并基于所制备的薄膜完成了紫外探测器的制备与性能测试。

二、实验部分

（一）实验材料与设备

靶材：采用ZnO和MgO粉末按一定摩尔比混合，经压制、烧结制成Zn???Mg?O陶瓷靶材（x取值范围0.1-0.3）。

基底：选用蓝宝石（0001）、n型Si（100）、石英玻璃三种基底，使用前依次经丙酮、乙醇、去离子水超声清洗15分钟，烘干后备用。

设备：采用Nd:YAG脉冲激光器（波长266nm，脉冲宽度10ns，重复频率10Hz），真空沉积系统（背景真空度≤5×10??Pa，可通入氧气控制反应气氛）。

（二）PLD生长ZnMgO三元薄膜工艺

基底预处理：将基底固定在样品台上，升温至500-700℃，通入氧气（气压1-5Pa），保温30分钟以去除基底表面杂质并活化表面。

薄膜沉积：调整靶材与基底距离为5-7cm，激光能量密度设为2-4J/cm2，沉积时间30-60分钟。沉积过程中实时监测薄膜厚度，确保不同基底上薄膜厚度均控制在300-500nm。

后处理：沉积完成后，在氧气气氛下以5℃/min的速率降温至室温，减少薄膜内应力，提升结晶质量。

（三）紫外探测器制备

电极制备：采用电子束蒸发技术在ZnMgO薄膜表面制备Au叉指电极，电极间距50μm，指宽50μm，共8对指。

器件封装：将制备好的探测器芯片粘贴在TO-5金属管座上，通过金丝键合连接电极与管座引脚，最后封装成器件。

三、结果与讨论

（一）ZnMgO薄膜性能

结晶性能：X射线衍射（XRD）分析表明，蓝宝石基底上的ZnMgO薄膜呈现（002）择优取向，衍射峰强度最高，半高宽最小（约0.3°），结晶质量最优；Si基底因晶格失配较大，薄膜出现少量杂峰；石英基底上薄膜为多晶结构，结晶度相对较低。

光学性能：紫外-可见分光光度计测试显示，ZnMgO薄膜的禁带宽度随Mg含量增加而增大（从3.3eV增至3.8eV），且蓝宝石基底上薄膜的紫外透过率最高（在400nm以下透过率＞85%）。

（二）紫外探测器性能

光电响应：在254nm紫外光（功率密度1mW/cm2）照射下，蓝宝石基底制备的探测器暗电流最低（＜1nA），光电流最高（＞10μA），光暗电流比达10?以上；Si基底探测器因存在界面态，暗电流较高；石英基底探测器响应速度较快（上升时间＜50ns，下降时间＜100ns）。

稳定性：经过1000次循环测试后，三种基底的探测器响应度衰减均＜5%，表明器件具有良好的稳定性。

四、结论

PLD方法可在多种基底上成功制备ZnMgO三元薄膜，其中蓝宝石基底最适合生长高质量ZnMgO薄膜，Si基底需进一步优化界面处理工艺，石英基底适合对响应速度要求较高的场景。

基于ZnMgO薄膜的紫外探测器展现出优异的紫外探测性能，光暗电流比高、稳定性好，在紫外预警、环境监测等领域具有实际应用价值。未来可通过调控Mg含量进一步拓宽探测波长范围，或引入异质结结构提升器件灵敏度。