硅基半导体上氧化锌薄膜的制备、特性与应用研究.docx

硅基半导体上氧化锌薄膜的制备、特性与应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体技术的发展进程中，硅基半导体凭借其成熟的工艺、丰富的资源以及良好的电学性能，长期占据着半导体领域的主导地位。从最初的晶体管发明，到如今高度集成的大规模集成电路，硅基半导体的发展历程见证了电子信息技术的飞速进步，广泛应用于计算机、通信、消费电子等各个领域，成为推动现代社会信息化的关键力量。然而，随着科技的不断发展，对半导体器件性能的要求日益提高，硅基半导体逐渐暴露出一些局限性，如在高频、高压、高温以及光电器件应用方面，其性能难以满足日益增长的需求，这促使科研人员不断探索新的材料和技术，以突破硅基半导体的性