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《电子技术基础（第二版）》（熊建云）部分习题答案及解析

第一章半导体器件基础典型习题答案

1.1核心概念简答题

什么是本征激发？什么是复合？少数载流子和多数载流子是如何产生的？

答：由于光照、辐射、温度等外界因素影响，半导体共价键中的价电子获得能量脱离束缚，形成电子-空穴对的现象称为本征激发；同时，自由电子填补空穴的反向过程称为复合。

多数载流子（多子）和少数载流子（少子）由掺杂产生：掺入三价杂质（如硼）的P型半导体中，空穴为多子、自由电子为少子；掺入五价杂质（如磷）的N型半导体中，自由电子为多子、空穴为少子。

半导体与金属导体的导电机理有何区别？

答：金属导体仅依靠自由电子一种载流子导电；而半导体的导电是自由电子和空穴两种载流子在外电场作用下定向移动的结果，这是两者核心区别。

N型半导体带负电吗？为什么？

答：不带电。虽然N型半导体中多子是自由电子，但掺杂过程中晶体整体的正、负电荷总数保持平衡（杂质原子提供电子后成为带正电的离子，与自由电子数量对等），因此整个半导体呈电中性。

PN结的雪崩击穿和齐纳击穿有何特点？是否会造成永久损坏？

答：雪崩击穿是高反向电压下，载流子碰撞晶格原子产生新电子-空穴对，形成电流激增，多见于掺杂浓度较低的PN结；齐纳击穿是强电场直接拉断共价键产生载流子，多见于高掺杂PN结。

两者均属于电击穿，可逆且不会造成PN结永久损坏；若反向电流过大导致过热，则会发生热击穿（不可逆损坏）。

1.2二极管电路计算题

能否将1.5V干电池以正向接法直接接到二极管两端？为什么？

答：不能。二极管正向伏安特性呈指数关系，当正向电压达到1.5V时，会产生极大的正向电流，远超二极管额定电流，导致管子因过热烧毁。

电路如图1-39所示（E?=5V，E?=5V，R?=2kΩ，R?=3kΩ，二极管导通压降U_D=0.7V），求流过二极管的电流I_D。

解：

（1）假设二极管断开，计算其两端开路电压U_DO：

根据基尔霍夫电压定律，回路总电压为E?-E?=0V，因此U_DO=0V；

（2）判断导通状态：U_DO=0V0.7V），二极管截止；

（3）结论：I_D=0mA。

稳压管电路计算题：已知稳压管U_Z=6V，稳定电流最小值I_Zmin=5mA，求图T1.4（输入电压10V，限流电阻R=1kΩ）中输出电压U_O1和U_O2（假设U_O2为负载短路状态）。

解：

U_O1（空载状态）：稳压管反向击穿，输出电压等于稳压值，即U_O1=6V；

U_O2（负载短路）：稳压管被短路，输出电压等于短路电压，即U_O2=0V（注意：实际电路中需避免负载短路，否则限流电阻会因电流过大烧毁）。

第二章基本放大电路典型习题答案

2.1选择题

在共射基本放大电路中，适当增大RC，电压放大倍数和输出电阻的变化是（）

A．放大倍数变大，输出电阻变大；B．放大倍数变大，输出电阻不变；C．放大倍数变小，输出电阻变大；D．放大倍数变小，输出电阻变小

答案：A

解析：共射放大电路的电压放大倍数公式为A_u=-\beta\frac{R_L//R_C}{r_{be}}，输出电阻r_o\approxR_C。增大RC时，负载电阻与RC的并联值增大，导致A_u绝对值变大；同时输出电阻随RC增大而变大，因此选A。

2.2计算题

电路如图2-35所示，已知V_CC=12V，R_C=2kΩ，晶体管β=60，U_BE=0.3V（锗管），I_CEO=0.1mA，要求：

（1）将I_C调到1.5mA，计算R_B取值；

（2）将U_CE调到3V，计算R_B取值。

解：

（1）固定I_C=1.5mA时的R_B计算：

共射电路中，基极电流I_B=\frac{I_C-I_{CEO}}{\beta}（忽略I_CEO时可近似为I_B\approx\frac{I_C}{\beta}）；

代入数据：I_B=\frac{1.5mA-0.1mA}{60}\approx23.3??A；

根据基极回路电压方程V_{CC}=I_BR_B+U_{BE}，推导得：R_B=\frac{V_{CC}-U_{BE}}{I_B}=\frac{12V-0.3V}{23.3??A}\approx493k??（工程上可选用510kΩ标准电阻）。

（2）固定U_CE=3V时的R_B计算：

集电极电流I_C=\frac{V_{CC}-U_{CE}}{R_C}=\frac{12V-3V}{2k??}=4.5mA；