半导体光刻胶材料国产化突破路径.docxVIP

半导体光刻胶材料国产化突破路径

引言

半导体光刻胶是芯片制造过程中至关重要的功能性材料，其性能直接决定了芯片的分辨率、良率和制程先进性。在集成电路制造的前道工艺中，光刻胶通过光化学反应将掩膜版上的电路图案转移至硅片，是实现纳米级线宽加工的核心介质。近年来，随着国内半导体产业向先进制程（如14nm、7nm及以下）加速迈进，对高端光刻胶（如ArF、EUV光刻胶）的需求呈指数级增长。然而，全球光刻胶市场长期被日本、美国企业垄断，国产光刻胶在技术成熟度、产品稳定性及市场占有率上仍存在显著差距。突破光刻胶国产化瓶颈，不仅是保障半导体产业链自主可控的关键环节，更是推动我国从半导体大国向强国转型的重要支撑。