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电子学期中考试题及答案详解版

一、选择题（每题2分，共20分）

1.在半导体PN结中，当N区向P区注入少数载流子时，这些载流子在P区会（）。

A.立即复合

B.被P区多数载流子中和

C.继续向N区扩散

D.被电场固定在PN结界面

2.二极管正向导通时的正向压降，在硅管中约为（），锗管中约为（）。

A.0.1V，0.3V

B.0.3V，0.7V

C.0.7V，1.0V

D.1.0V，0.3V

3.晶体管工作在放大区时，其发射结和集电结的偏置状态分别为（）。

A.发射结正向偏置，集电结反向偏置

B.发射结反向偏置，集电结正向偏置

C.两者均正向偏置

D.两者均反向偏置

4.在RC串联电路中，若电阻R=1kΩ，电容C=1μF，则电路的时间常数τ为（）。

A.1ms

B.10ms

C.100ms

D.1s

5.差分放大电路的主要目的是（）。

A.增大放大倍数

B.抑制共模信号

C.提高输入阻抗

D.减小输出阻抗

6.在运算放大器构成的反相比例电路中，若输入电阻R1=10kΩ，反馈电阻Rf=100kΩ，则闭环放大倍数为（）。

A.10

B.100

C.-10

D.-100

7.下列哪种电路属于集成稳压器的基本形式？（）

A.并联稳压器

B.串联稳压器

C.并联-串联混合稳压器

D.电压比较器

8.在数字电路中，TTL反相器的输入低电平典型值为（），输入高电平典型值为（）。

A.0.8V，2.4V

B.0.4V，3.2V

C.0.8V，3.2V

D.0.4V，2.4V

9.三态输出门电路的主要特点是（）。

A.只能输出高电平

B.只能输出低电平

C.可输出高电平、低电平或高阻态

D.可输出高电平、低电平或零电平

10.在CMOS电路中，PMOS管和NMOS管的工作状态通常是（）。

A.同时导通

B.同时截止

C.互补导通或截止

D.交替导通

二、填空题（每空1分，共20分）

1.半导体中，N型半导体的多数载流子是______，P型半导体的多数载流子是______。

2.二极管反向击穿时，若采用______稳压电路，可利用其反向击穿特性稳定电压。

3.晶体管工作在饱和区时，其集电极电流IC近似等于______乘以基极电流IB。

4.在RC串联电路中，电容电压从最大值衰减到最大值37%所需的时间称为______。

5.差分放大电路的共模抑制比CMRR越大，说明其对______信号的抑制能力越强。

6.运算放大器构成的加法电路中，若输入信号分别加在反相输入端，则输出电压与输入电压的关系为______。

7.集成稳压器7812表示输出电压为______的稳压电路。

8.TTL电路的输出端可直接______连接，以实现线或逻辑功能。

9.三态门输出的三种状态分别是______、______和高阻态。

10.CMOS电路的功耗主要来源于______和______。

三、简答题（每题5分，共20分）

1.简述PN结的形成过程及其单向导电性原理。

2.晶体管有几种工作状态？分别说明其特点。

3.简述运算放大器在反相比例电路和同相比例电路中的区别。

4.说明CMOS反相器的电路结构及其工作原理。

四、计算题（每题10分，共30分）

1.如图所示，已知二极管VD为硅管，正向压降为0.7V，求电路中电流I和输出电压Vo。

（电路图：电源VCC=5V，电阻R=1kΩ，二极管VD串联在电路中）

2.如图所示，晶体管VT工作在放大区，已知β=100，IC=2mA，求基极电流IB和集电极发射极电压VCE。

（电路图：电源VCC=12V，电阻RC=3kΩ，RE=1.5kΩ，基极电阻RB=200kΩ）

3.如图所示，运算放大器构成的加法电路中，已知R1=10kΩ，Rf=50kΩ，输入电压V1=0.5V，V2=1V，求输出电压Vo。

（电路图：两个输入信号分别加在反相输入端，反馈电阻Rf跨接在输出端和反相输入端）

五、分析题（每题15分，共30分）

1.分析差分放大电路的工作原理，并说明其如何抑制共模信号。

2.设计一个简单的串联型稳压电路，要求输出电压可调范围为5V～12V，并说明电路工作原理。

答案及解析

一、选择题（每题2分，共20分）

1.B

解析：二极管正向导通时，N区注入的少数载流子在P区会被P区的多数载流子（空穴）中和，形成复合。

2.B

解析：硅管的正向压降约为0.7V，锗管的正向压降约为0.3V。

3.A

解析：晶体管放大区要求发射结正向偏置（提供注入载流子），集电结反向偏置（将载流子拉入集电区）。

4.A

解析：时间常数τ=RC=(1kΩ×1μF)=1ms。