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晶闸管的结构组成与性能参数表征分析

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TOC\o1-3\h\u28333晶闸管的结构组成与性能参数表征分析 1

244431.1晶闸管的基本结构 1

215471.2静态特性 2

129301.3晶闸管的电流、电压定额 2

279621.4晶闸管性能评价研究实施方案 3

最早出现的一种大功率可控半导体整流器件是硅可控整流器，又叫做可控硅。实际上，它包括了相继出现的各种派生器件（快速器件、门极关断器件、三端子器件、逆导器件、场控器件等等），一般统称为晶体闸流管，简称为晶闸管。为方便起见，将硅可控整流器叫晶闸管，而将各种派生器件统称为特殊晶闸管。本章节分别讨论晶闸管的静态特性，动态特性，以及某些内部参数和电路参数对晶闸管特性的影响。

1.1晶闸管的基本结构

晶闸管是四层三端大功率半导体器件，由三个PN结构成，在高电阻率的N型硅单晶基片上，在高温条件下两侧同时将Ⅲ族元素扩入而形成受主杂质，以构成杂质浓度高的P+层，从而形成了两个PN结（P+N-结）。在基片的一侧，经高温氧化、光刻而得到所要求图形的SiO2掩膜，而基片另一侧全部由SiO2层保护。同样在高温下进行第二次杂质扩散，将V族元素（如磷等）扩入而心存工行施主杂质，以构成高掺杂的N+层，从而又形成了一个PN结（N+-P+结）。杂质扩入的深度（结深）由扩散时的温度与扩散的时间决定。例如，2500A/4000V的晶闸管所采用的基片，电阻率为2.2~2.5Ω/m，直径等于0.07m，基片厚度为9*10-4m，总扩散深度为8~10*10-5m。

当基片形成三个PN结以后，再进行金属化处理，通常在N+层表面蒸镀一层铝，而另一侧（P+层表面）把热膨胀系数与硅（4.4*10-6/℃）相近的钼片（5.6*10-6/℃）和他烧结在一起，形成合金结构作为阳极。蒸铝一侧，与P+层接触部分为门极（控制极），而与N+层接触部分为阴极，从而形成了晶闸管的管芯。

四层结构的晶闸管可以用两个相互耦合的晶体管等效，这种等效关系是为了分析上的方便，并不是工作机理的一致。两个晶体管分别为P1N1P2和N2P2N1，它们的发射极电流、基极电流、收集极电流及共基电流增益分别为：IA、In、Ip及；IK、（Ig+Ip）、In及

1.2静态特性

晶闸管的阳极与阴极间施加相对于阴极为正或负的直流电压时，在门极存在控制信号与不存在控制信号条件下，可得到特性曲线，称为晶闸管的静态特性。下面简述晶闸管的基本工作状态。

晶闸管施加正向电压Uf，开关S1投向Ⅰ端，，而门极不加控制信号，开关S2分开。晶闸管两端的电压UD随着正向电压Uf的增加而增加，而正向电流ID却稍有增加。只要电压UD小于某一定电压UB0时（UDUB0），晶闸管中仅流过小的正向电流，该电流被称为正向漏电流。这种状态称为正向阻断状态，简称断态。当电压UD等于UB0时，晶闸管的电压降将迅速减小，而正向电流很快增长，经过一定的负阻过程而达到导通状态，简称通态。电压UB0称为正向转折电压。

如果加在晶闸管的电压为UD（UDUB0），同时在门极加一定的控制信号Ig（开关S2接通，能够使晶闸管由断态转入通态。控制信号越强（Ig2Ig1），发生转折时的电压UD越低。晶闸管一旦导通之后，门极即失去控制能力。

处于通态的晶闸管，流过由负载决定的通态电流IT，其电压降UT0很低，约1V左右。如果将通态电流减小到某电流IH时，此时将由通态变为断态，电流IH称为维持电流。

晶闸管的反向特性与二极管的反向特性相类似，对晶闸管施加反向电压，当此电压达到某一值时，反向电流会大幅上升，从而导致晶闸管击穿。

由以上分析可知，晶闸管的正向工作状态包括断态和通态两个状态，它们可以相互转变，而反向只能工作于阻断状态。这样的旗舰是一种典型的逆阻型器件。它类似于一个开关，可利用门极控制信号使晶闸管导通，与开关闭合状态相似，可使电路接通；而处于阻断的晶闸管（断态与反向阻断状态），又与开关分开相似，可使电路断电。所已，晶闸管是一种典型的大功率可控电子开关，在各种电力电子电路中被广泛应用。

1.3晶闸管的电流、电压定额

晶闸管的电流、电压定额是由制造厂保证的电流、电压允许值限额，并符合国家标准。晶闸管在工作过程当中，如果超过这些允许值的话，将使晶闸管的寿命缩短或造成永久性的损坏。在使用晶闸管时，必须注意，即使在最恶劣的工作条件和环境条件下，也不应超过允许值（定额）。晶闸管的主要定额指标列于产品出厂合格证上。下面对晶闸管一些主要的电流、电压定额的名称、符号及含义加以说明。

对于晶闸管的主电压定额，主要包括断态不重复峰值电压（UDSM）、断态重复峰值电压（UDRM）、反向不重复峰值电压（URSM）、反向重复峰值电压（URRM）、通态峰值电压（U