第4章放大电路的频率响应习题答案.docxVIP

Vcc应□Rc□gmfr_=1迎=1MHz50rh,=(1

Vcc

应□Rc□

gm

fr_=

1

迎=1MHz

50

rh,=(1+仞程=51x史=884Q

IE1.5

-Q=

2〃x884x106

=土=蒙=0.058S

UT26

—4=176pF

4-1.晶体管放大电路在高频信号下电压放大倍数的数值下降的原因是什么？而低频信号下电压放大倍数的数值下降的原因是什么？

高频信号下电压放大倍数的数值下降的原因是晶体管极间电容和分布电容的影响；

低频信号下电压放大倍数的数值下降的原因是电路中耦合电容和旁路电容的影响。

4-2.在实验中，如何利用信号发生器、示波器或晶体管毫伏表测量放大电路的通频带宽度？

1）调整好放大电路的静态值，加入合适的正弦交流信号I（mV、kHz数量级），通过示波器观察输出波形是否正常；

2）用毫伏表测量输出电压o的值，计算电压放大倍数。

3）增加信号频率，观察输出波形和幅值的变化，当输出电压下降为正常值的0.7倍左右时，记录上限截止频率也。

4）减小信号频率，观察输出波形和幅值的变化，当输出电压下降为正常值的0.7倍左右时，记录下限截止频率fL。

5）计算通频带宽度

4-3.电路如图，已知Vcc=12V、Rb=400k。、Rc=3k。、RL=6k。、Rs=lkQ、Ci=10|iF,晶体管的q=4pF、fr=50MHz、rbb^100Qp=50。解：

中频电压放大倍数，先计算静态工作点,岭c12V八noa

/Ra—==0.03mA

BRb400k=印r=50x0.03mA=1.5mA

U(、E=Vcc—LA=12-1.5X3=7.5V

求C；

k=-gmRfL=-0.058x(3//6)=-115

C；=G+(1—k)C〃=176+116x4=840pF

（3）fH

r

rhe=100+884=0.984kQ

1

rhe=100+884=0.984kQ1fj—=牝16.2Hz膈gIIvQG6.28x(400000//984)

rhe=100+884=0.984kQ

1

R=(Rs〃Rb+物)〃S=(WOO//400000+100)//884=490。

fH=—-—==387kHz服RC：6.28x490x840x10~12

(4)画波特图

计算中频电压放大倍数Aum也gRf=_竺1x0.058x2000=-104

J9844-4某高频小功率晶体管，当

4-4某高频小功率晶体管，当Ic=l.5mA时,

4-4某高频小功率晶体管，当Ic=l.5mA时,rhe=1.IkQ、p

4-4某高频小功率晶体管，当Ic=l.5mA时,

rhe=1.IkQ、p=50J=100MHz、Q=3pF(说明:C〃=3pF)

求：g〃,、饥、切、G(说明：原求即G)

解：计算各参数

gm

UTfz_=0

15

1=0.058S

26

卅业=2MHz

50

=(1+仞也=51x史=884。

、1.5

=rhe-饥=1100-884=216Q

=\c=3=87pF

2叭加〃2〃x884x2xIO。

4-5某电路电压放大倍数为—Mf劣ff

（1+j—）（l+j「）10105

解：（1）变换电压放大倍数的表达式，求出,〃、h和打。

-I。。％..

-I。。％

...讣_邮

，命E伊（1+弋）（E亩）

?.?=TOO；h=10Hz；扁=1。5Hz。

?.?

?.?=TOO；h=10Hz；扁=1。5Hz。

（2）波特图

4-6

4-6某放大电路的波特图如题4.6图所示，写出九的表达式。

-270°题4-6

-270°

题4-6图

解：设电路为基本共射放大电路。

A?-32…-3小

气~10fff(1+—)(1+7-4)(1+/匕)(1+j*jf10510IO5

4-7电路如题4-7图所示，其中晶体管的°、％，、静态电流A及所有电容均相等。

试回答：哪个电路的低频性能最差（即下限频率最高）？哪个电路的低频性能最好（即下限频率最低）？哪个电路的高频性能最好（即上限频率最高）？以上回答需通过相互比较，说明原因。

（X）因为（a）图7?b=100k,R=R寸临小于（b）、（d）和（c）中输出回路的R,所以低频特性最差即下限频率最高。

（2）因为（c）图中无