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本文已被接受将于本期刊的未来某期中，但尚未完成全面编辑。在最终前，内容可能会发生变化。信息：DOI10.1109/LED.2016.2612243，IEEEElectronDeviceLetters
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GaN器件中的热电感
HuaiyuYe，StanleyY.Y.Leung，CellK.Y.Wong，KaiLin，XianpingChen，JiajieFan，SigneKjelstrup，
XuejunFan，GuoqiZhang
基于氮化镓（GaN）的固态发光二极管（LED）器件的瞬
——通过类比电感，我们通过测试基于氮化镓（GaN）态热特性。我们认为，这种瞬态热行为可以由一个类似于
的发光二极管（LED）器件的瞬态热行为揭示了热电感特性。电感的函数来描述。
我们发现器件在电流骤降或骤升时表现出瞬态热响应，并观察到
从启动开始持续数百微秒的温度响应中显著的电感现象。为了对散热性能乃至效率、可靠性等进行热评估，结
热电感定义为器件温度的快速变化，其方向与功率输入所预期的温（Tj）是最关键且精确的参数，它指的是电子设备中实
温度变化相反。这些发现可以推动新的温度测量方法的发展，并际的最高工作温度[4,5]。由于GaN通常被封
促进结合热阻、热容和热电感的高频器件新型热分析方法装，难以直接检测，因此更倾向于采用间接方法。Xi等人
的诞生。曾使用三种不同方法对深紫外LED中的Tj进行了测量
f
[4,6]，并证明了二极管正向电压（V）法是最为准确的
法。在该方法中，通过电学测试确定固态
索引术语——热感；瞬态热行为；热分析。LED器件的Tj；在Tj测定过程中施加脉冲电流或降压电流，
f−
以获取p–n结的正向电压–温度（VT）特性[4,6,7]。然
I.引言而，大多数研究人员在测量中忽略了电参数瞬态响应最开
始的部分，这也常常导致测量误差达到不可接受的程度。
T导体中的热流可以使用等效电路进行建模，类似于电2013年，Ye等人[8]首次通过实验揭示了施加功率变化时
产生的感性响应，并开展了相关实验以提高Tj
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