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基于LTCC的SIW滤波器：从理论设计到制备工艺的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着通信技术的飞速发展，第五代移动通信（5G）乃至未来的第六代移动通信（6G）等先进通信系统不断涌现，对电子设备的性能提出了更高要求。滤波器作为通信系统中不可或缺的关键部件，其性能直接影响着通信质量和系统的整体性能。在现代通信系统中，信号环境日益复杂，需要滤波器具备更高的选择性、更低的插入损耗、更小的尺寸以及更好的稳定性，以满足通信设备小型化、高性能化的发展趋势。

低温共烧陶瓷（LTCC,LowTemperatureCo-firedCeramic）技术是一种将低温烧结陶瓷粉制成生瓷带，通过一系列精细工艺制作电路图形，并将多个无源组件埋入多层陶瓷基板中，最后在相对较低温度（约900℃）下烧结而成的先进技术。LTCC技术具有诸多优势，如陶瓷材料优良的高频、高速传输以及宽通带特性，其介电常数可在较大范围内变动，能配合高电导率金属材料提高电路系统品质因数，增加电路设计灵活性；可适应大电流及耐高温特性要求，具备比普通PCB电路基板更优良的热传导性，优化了电子设备的散热设计，可靠性高，可应用于恶劣环境，延长设备使用寿命；能够制作层数很高的电路基板，并将多个无源元件埋入其中，免除封装组件成本，有利于提高电路组装密度，进一步减小体积和重量；与其他多层布线技术兼容性良好，例如与薄膜布线技术结合可实现更高组装密度和更好性能的混合多层基板和混合型多芯片组件；采用非连续式生产工艺，便于在成品制成前对每一层布线和互连通孔进行质量检查，提高多层基板成品率和质量，缩短生产周期，降低成本，且符合节能、节材、绿色、环保的发展潮流。

基片集成波导（SIW,SubstrateIntegratedWaveguide）技术则是通过在平面电路的介质层中嵌入两排金属化孔构成类似波导的结构。SIW继承了传统矩形波导品质因数高、辐射损耗小、便于设计等优点，同时又具有易于与微波集成电路（MIC）以及单片微波集成电路（MMIC）集成的特性，并且其多层布线结构可缩短电长度，减小滤波器尺寸，避免金属腔体滤波器中因金属走线导致的电磁耦合问题，提高滤波器性能，制作过程也更加灵活，可通过调整层数、材料以及通孔布局等方式优化性能，具有更高的功率承受能力和更好的抗干扰能力，工作频带很宽，从DC到几十吉赫兹皆可应用。

将LTCC技术与SIW技术相结合来设计和制备滤波器，能够充分发挥两者的优势，为实现滤波器的小型化、高性能化提供了一条有效的途径。这种结合不仅可以利用LTCC技术实现多层结构和无源元件的集成，减小滤波器的体积和重量，还能借助SIW技术的低损耗、高Q值等特性提升滤波器的电气性能，满足现代通信系统对滤波器日益严苛的要求。因此，开展基于LTCC的SIW滤波器设计与制备技术研究具有重要的理论意义和实际应用价值，对于推动通信技术的发展以及相关领域的技术进步具有积极的促进作用。

1.2国内外研究现状

在国外，许多科研机构和企业在基于LTCC的SIW滤波器研究方面取得了显著成果。例如，一些研究团队深入探索了不同的电磁带隙（EBG）单元在基于LTCC的SIW滤波器中的应用，通过比较开槽式SIW单元和均匀缝隙式SIW单元的传播常数，发现开槽式单元在上下带隙性能上表现出色，尤其适合于低频段应用，并构建了针对特定频率的高阶统一缝隙式SIWEBG滤波器和采用非均匀级联时隙SIW单元的电耦合滤波器，通过提取耦合系数（K）和品质因数（Q）等关键参数精确调整电路尺寸，实现了高性能的毫米波滤波器设计，并通过低温共烧陶瓷技术在单电路层中成功制造和测量了滤波器结构，实验结果与理论模拟高度一致。

在国内，也有众多科研人员致力于该领域的研究。部分研究聚焦于基于LTCC的多层基片集成波导滤波器的设计与开发，旨在实现具有高性能、高集成度和良好热稳定性的滤波器。通过详细阐述滤波器的设计方法、仿真结果和实验验证等内容，对比分析了所提出的设计方案相较于传统滤波器在性能和集成度方面的优势，并讨论了实际应用中可能遇到的问题和挑战，提出了相应的改进措施。

然而，当前基于LTCC的SIW滤波器设计与制备技术仍存在一些不足之处和待解决的问题。例如，在设计方面，虽然已经提出了多种设计方法和结构，但对于复杂的滤波器结构，其设计理论和方法仍有待进一步完善和优化，以实现更精确的性能控制和更灵活的设计。在制备工艺方面，尽管LTCC和SIW技术都有各自成熟的工艺步骤，但两者结合时，工艺兼容性和稳定性仍需进一步提高，如金属化孔的制作精度、多层结构的对准精度以及材料的烧结匹配等问题，这些因素都会影响滤波器的最终性能和成品率。此外，在滤波器的性能测试