半导体物理基础：半导体器件工作原理_（9）.半导体存储器：工作原理与分类.docxVIP

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半导体存储器：工作原理与分类

1.半导体存储器的基本概念

半导体存储器是一种利用半导体材料存储数据的电子器件。与传统的磁存储器相比，半导体存储器具有存取速度快、体积小、功耗低等优点，因此在现代电子设备中得到了广泛应用。半导体存储器的基本单元是存储单元（memorycell），每个存储单元可以存储一位二进制数据（0或1）。存储单元通过不同的物理机制（如电荷存储、磁化状态、电阻变化等）实现数据的存储和读取。

1.1存储单元的基本结构

存储单元是半导体存储器的最基本组成部分。常见的存储单元结构包括：

电容型存储单元：通过电荷的存储和释放来表示二进制数据。例如，动态随机存取存储器（DRAM）中的存储单元就是一个电容。

晶体管型存储单元：通过晶体管的状态（导通或截止）来表示二进制数据。例如，静态随机存取存储器（SRAM）中的存储单元通常由多个晶体管组成。

浮栅型存储单元：通过浮栅上的电荷来表示二进制数据。例如，闪存（FlashMemory）中的存储单元就是一个浮栅晶体管。

1.2存储器的主要性能指标

存储器的性能指标包括：

存取时间：从存储器中读取或写入数据所需的时间。

存储容量：存储器能够存储的数据总量。

功耗：存储器在工作时消耗的电能。

可靠性：存储器在长时间使用中的稳定性和数据保持能力。

成本：存储器的制造成本和使用成本。

2.半导体存储器的分类

半导体存储器可以根据不同的分类标准进行划分。常见的分类标准包括访问方式、数据保持能力、功耗等。

2.1按访问方式分类

按访问方式分类，半导体存储器可以分为：

随机存取存储器（RAM）：可以随时读取和写入数据，访问时间较短。常见的RAM类型有静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。

顺序存取存储器（SAM）：数据按顺序访问，访问时间较长。例如，磁带存储器。

只读存储器（ROM）：数据只能读取，不能写入。常见的ROM类型有掩模ROM（MaskROM）、可编程ROM（PROM）、可擦除可编程ROM（EPROM）和电可擦除可编程ROM（EEPROM）。

2.2按数据保持能力分类

按数据保持能力分类，半导体存储器可以分为：

易失性存储器（VolatileMemory）：断电后数据会丢失。例如，RAM。

非易失性存储器（Non-VolatileMemory）：断电后数据不会丢失。例如，ROM、闪存（FlashMemory）。

2.3按功耗分类

按功耗分类，半导体存储器可以分为：

静态存储器（StaticMemory）：在数据保持过程中几乎不消耗功耗。例如，SRAM。

动态存储器（DynamicMemory）：需要定期刷新以保持数据，因此功耗相对较高。例如，DRAM。

3.随机存取存储器（RAM）

随机存取存储器（RAM）是一种可以随时读取和写入数据的存储器。RAM分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两种主要类型。

3.1静态随机存取存储器（SRAM）

SRAM是一种静态存储器，其存储单元通常由六个晶体管组成，形成两个交叉耦合的反相器。这种结构使得SRAM在数据保持过程中几乎不消耗功耗，但其制造成本较高，存储密度较低。

3.1.1SRAM的工作原理

SRAM存储单元的工作原理如图1所示。两个交叉耦合的反相器（由四个晶体管组成）形成一个稳定的存储状态，两个额外的晶体管（传输门）用于控制数据的读取和写入。

图1.SRAM存储单元结构

读操作：当地址线选通某个存储单元时，传输门导通，存储单元的状态被读取到数据线上。

写操作：当地址线选通某个存储单元时，传输门导通，数据线上的数据被写入存储单元。

3.1.2SRAM的仿真示例

我们可以通过一个简单的仿真示例来理解SRAM的工作原理。以下是一个使用Python和SPICE进行SRAM存储单元仿真的示例。

#SRAM存储单元仿真示例

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

importpyspice

#定义SRAM存储单元的SPICE模型

spice_model=

*SRAM存储单元仿真

.modelNMOSNMOS(Vto=0.7kp=50u)

.modelPMOSPMOS(Vto=-0.7kp=25u)

*交叉耦合的反相器

M1n1n2VDDVDDPMOS

M2n2n1GNDGNDNMOS

M3n3n4VDDVDDPMOS

M4n4n3GNDGNDNMOS

*传输门

M5n1n3word_lineVDDPMOS

M6n2n4word_lineGNDNMOS

*电源

VDD05

GND00