半导体物理基础：半导体材料特性_4.本征半导体与掺杂半导体.docxVIP

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4.本征半导体与掺杂半导体

4.1本征半导体

4.1.1本征半导体的定义

本征半导体是指纯净的半导体材料，不含有任何杂质。在纯净的半导体中，电子和空穴的数量相等，这些载流子的浓度完全由温度决定。常见的本征半导体材料包括硅（Si）和锗（Ge）。

4.1.2本征半导体的能带结构

在本征半导体中，能带结构可以分为导带（ConductionBand）和价带（ValenceBand）。能带之间的能隙称为禁带（BandGap），通常用符号Eg

能带结构示意图：

++

|导带|

||

|自由电子|

++

|禁带(E_g)|

++

|价带|

||

|空穴|

++

4.1.3本征半导体的载流子浓度

在本征半导体中，自由电子和空穴的浓度可以用以下公式表示：

n

其中，n0和p0分别表示自由电子和空穴的浓度，Ni表示本征载流子浓度。本征载流子浓度Ni与温度

N

其中，Nc是有效状态密度，k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度，Ec是导带底能量，E

计算本征载流子浓度的Python代码示例：

importmath

#定义常数

k=8.617e-5#玻尔兹曼常数(eV/K)

E_c=0.0#导带底能量(eV)

E_g=1.12#硅的禁带宽度(eV)

N_c=2.8e19#硅的有效状态密度(cm^-3)

#定义温度

T=300#室温(K)

#计算本征载流子浓度

N_i=N_c*(k*T/E_c)**(3/2)*math.exp(-E_g/(2*k*T))

print(f本征载流子浓度N_i:{N_i:.2e}cm^-3)

4.2掺杂半导体

4.2.1掺杂半导体的定义

掺杂半导体是指在纯净的半导体材料中故意引入少量的杂质原子。这些杂质原子可以是施主杂质（Donors）或受主杂质（Acceptors），它们分别增加电子或空穴的浓度，从而改变半导体的电学特性。掺杂半导体可以分为n型半导体和p型半导体。

4.2.2n型半导体

n型半导体是通过引入施主杂质（如磷、砷等）而形成的。施主杂质具有比半导体材料多一个价电子的特性，这些额外的电子很容易进入导带，成为自由电子。因此，n型半导体的导电主要由自由电子贡献。

n型半导体的能带结构示意图：

++

|导带|

||

|自由电子|

++

|禁带(E_g)|

|施主能级|

++

|价带|

||

|空穴|

++

计算n型半导体中自由电子浓度的Python代码示例：

#定义常数

N_d=1e16#施主杂质浓度(cm^-3)

E_d=0.05#施主能级(eV)

E_f=-0.25#费米能级(eV)

k=8.617e-5#玻尔兹曼常数(eV/K)

T=300#室温(K)

#计算自由电子浓度

n=N_d*math.exp((E_d-E_f)/(k*T))

print(f自由电子浓度n:{n:.2e}cm^-3)

4.2.3p型半导体

p型半导体是通过引入受主杂质（如硼、铝等）而形成的。受主杂质具有比半导体材料少一个价电子的特性，它们可以捕获附近的价电子，从而在价带中形成空穴。因此，p型半导体的导电主要由空穴贡献。

p型半导体的能带结构示意图：

++

|导带|

||

|自由电子|

++

|禁带(E_g)|

|受主能级|

++

|价带|

||

|空穴|

++

计算p型半导体中空穴浓度的Python代码示例：

#定义常数

N_a=1e16#受主杂质浓度(cm^-3)

E_a=0.05#受主能级(eV)

E_f=0.25#费米能级(eV)

k=8.617e-5#玻尔兹曼常数(eV/K)

T=300#室温(K)

#计算空穴浓度

p=N_a*math.exp((E_f-E_a