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半导体器件可靠性分析：电迁移分析_（6）.电迁移的预防与缓解措施.docx

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    电迁移的预防与缓解措施

    1.电迁移的基本概念回顾

    在上一节中，我们详细讨论了电迁移（Electromigration,EM）的机理及其对半导体器件可靠性的负面影响。电迁移是指由于电流通过金属导线而引起的金属离子的迁移现象，这种迁移会导致导线中的微观缺陷累积，最终可能导致导线断开或短路，严重影响器件的性能和寿命。本节将重点介绍如何预防和缓解电迁移，以提高半导体器件的可靠性。

    2.电迁移的预防措施

    2.1选择合适的材料

    2.1.1高熔点金属

    高熔点金属具有较高的原子扩散激活能，因此在高温下也不容易发生电迁移。常用的高熔点金属包括钨（W）、钼（Mo）

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