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铁掺杂氧化铟薄膜：制备工艺、磁性与输运性质的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学不断发展的进程中，具有独特物理性质的新型材料一直是研究的焦点。铁掺杂氧化铟薄膜作为一种新型的功能材料，在自旋电子学、传感器技术以及磁存储等领域展现出了巨大的潜在应用价值，吸引了众多科研人员的广泛关注。

自旋电子学作为一门新兴的交叉学科，致力于同时利用电子的电荷和自旋属性来实现信息的存储、处理和传输。铁掺杂氧化铟薄膜凭借其特殊的晶体结构和电子态，具备了优异的自旋相关特性，有望成为构建下一代高性能自旋电子器件的关键材料。例如，在磁阻式随机存储器（MRAM）中，利用铁掺杂氧化铟薄膜的自旋极化特性可以实