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分立元件门电路学习目标:了解逻辑门电路的作用和常用类型。理解高电平信号和低电平信号的含义。了解与门、或门、非门、与非门、或非门电路及其工作原理。
TTL即Transistor-TransistorLogicCMOS即ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor一、门电路的作用和常用类型按功能特点不同分普通门(推拉式输出)CMOS传输门输出开路门三态门门电路(GateCircuit)指用以实现基本逻辑关系和常用复合逻辑关系的电子电路。是构成数字电路的基本单元之一按逻辑功能不同分与门或门非门异或门与非门或非门与或非门按电路结构不同分TTL集成门电路CMOS集成门电路输入端和输出端都用三极管的逻辑门电路。用互补对称MOS管构成的逻辑门电路。
二、高电平和低电平的含义高电平和低电平为某规定范围的电位值,而非一固定值。高电平信号是多大的信号?低电平信号又是多大的信号?10高电平低电平01高电平低电平正逻辑体制负逻辑体制
(一)二极管与门电路三、二极管门电路二极管与门电路逻辑符号与门真值表001YBA输出输入111010000逻辑表达式Y=AB
(二)二极管或门电路二极管或门电路逻辑符号逻辑表达式Y=A+B或门真值表101YBA输出输入111110000
四、三极管非门电路非门真值表YA输出输入0110非门电路逻辑符号逻辑表达式Y=A
当输入uI为低电平,使uBEUth时,三极管截止。iB?0,iC?0,C、E间相当于开关断开。三极管关断的条件和等效电路IC(sat)QAuCEUCE(sat)OiCMNIB(sat)TS负载线临界饱和线饱和区放大区五、三极管的开关特性截止区uBEUthBEC三极管截止状态等效电路uI=UILuBE+-Uth为门限电压(一)静态开关特性
IC(sat)QAuCEUCE(sat)OiCMNIB(sat)TS临界饱和线饱和区放大区uI增大使iB增大,从而工作点上移,iC增大,uCE减小。截止区uBEUthBEC三极管截止状态等效电路S为放大和饱和的交界点,这时的iB称临界饱和基极电流,用IB(sat)表示;相应地,IC(sat)为临界饱和集电极电流;UBE(sat)为饱和基极电压;
UCE(sat)为饱和集电极电压。对硅管,UBE(sat)?0.7V,UCE(sat)?0.3V。在临界饱和点三极管仍然具有放大作用。uI增大使uBEUth时,三极管开始导通,iB0,三极管工作于放大导通状态。一、三极管的开关特性(一)静态开关特性
IC(sat)QAuCEUCE(sat)OiCMNIB(sat)TS临界饱和线饱和区放大区截止区uBEUthBEC三极管截止状态等效电路uI=UIH三极管开通的条件和等效电路当输入uI为高电平,使iB≥IB(sat)时,三极管饱和。uBE+-uBE?UCE(sat)?0.3V?0,C、E间相当于开关合上。iB≥IB(sat)BEUBE(sat)CUCE(sat)三极管饱和状态等效电路一、三极管的开关特性(一)静态开关特性
iB愈大于IB(Sat),则饱和愈深。开关工作的条件截止条件饱和条件uBE<UthiB>IB(Sat)可靠截止条件为uBE≤0
IC(sat)OOOuIiCuOtttUIHUILVCCUCE(sat)上例中三极管反相器的工作波形是理想波形,实际波形为:uI从UIL正跳到UIH时,三极管将由截止转变为饱和,
iC从0逐渐增大到IC(sat),uC从VCC逐渐减小为UCE(sat)。uI从UIH负跳到时UIL,三极管不能很快由饱和转变为截止,而需要经过一段时间才能退出饱和区。(二)动态开关特性
IC(sat)OOOuIiCuOtttUIHUILVCCUCE(sat)0.9IC(sat)ton0.1IC(sat)toffuI正跳变到iC上升到
0.9IC(sat)所需的时间ton称为三极管开通时间。通常工作频率不高时,可忽略开关时间,而工作频率高时,必须考虑开关速度是否合适,否则导致不能正常工作。uI负跳变到iC下降到
0.1IC(sat)所需的时间toff称为三极管关断时间。通常toffton开关时间主要由于电荷存储效应引起,要提高开关速度,必
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