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晶闸管的选择以及触发电路、保护电路的设计案例
1.1晶闸管的选择
1.1.1晶闸管的结构特性及原理
晶闸管是一种四层结构(PNPN)的大功率半导体器件,它同时又被称作可控整流器或可控硅元件。它有三个引出电极,即阳极(A)、阴极(K)和门极(G)。其内部结构示意图如下图2-1所示。
图2-1
普通晶闸管是在N型硅片中双向扩散P型杂质(铝或硼),形成PNP2结构,然后在P,的大部分区域扩散N型杂质(磷或锑)形成阴极,同时在P,上引出门极,在P区域形成欧姆接触作为阳极。将内部是四层PNPN结构的晶闸管看成是由一一个PNP型和一个NPN
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