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新型结构HBT的创新设计与材料精准生长研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体器件的发展历程中，异质结双极晶体管（HBT，HeterojunctionBipolarTransistor）凭借其独特的结构和优异的性能，占据着极为重要的地位。HBT通过异质结电子结构，极大地增强了电子的输运性能，进而具备了更高的开关速度以及众多其他出色的特性。

随着无线通信技术的迅猛发展，从3G、4G到如今广泛普及的5G，以及未来即将到来的6G时代，对通信设备的性能要求日益严苛。例如，在5G通信网络中，基站需要处理海量的数据传输，这就要求半导体器件具备更高的工作频率和更稳定的信号处理