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技术进步促使LED封装技术改变之分析

一、LED芯片效率的提升与LED应用技术的扩展必将会改变现有的LED封装

技术

LEDLAMP现有的封装式为:DIP、SMD、TOP、SUPERFLUX、HIGHT

POWER

・目前各种封装式的不足（热阻高、出光利用也低、最终应用结构匹配难

■未来芯片技术将会以提高效率降低成本、莹光粉技术以提高效率稳定性与演

色指数为进步方向

LED芯片效率的提升将以阶段性成长为主，从lOlm/w〜801m/w、

801m/w~1001m/w、1001m/w-1501m/w、1501m/w~2001m/w???当技术进步到

2001m/w时对比现有的芯片效率提升了4.5倍,芯片的发热量将大幅度减少（指同体

积同面积比较

二、LED封装式的演变之路

我国发展半导体照明产业的蓝图（2005

技・术指标LED2004LED2005LED2008LED2010LED2022白炽灯荧光灯发光效

$（lm/W25451102005001685寿命（khr5205080200110光通量

（lm/lamp251305001600500012003400输入功率（W/lamp1358107540单灯成本（

/lamp3250332820214显色指数（CRI75808080809575每千流明成本（¥

/klm128011103004

可渗透的照明市场

1、低光通量要求领域

2、手电筒

3、头灯白炽灯市场

荧光灯市

场

所有照明领

域

1、所有照明领域

2、HID领域

三、LED芯片效率的提升将使芯片的面积不断减小

•可能的实现时间芯片面积类比光效（得到的光通量实现的光效裸晶亮度

2005.0640milx40mil601m481m/w...

2007.0638milx38mil60lm551m/w...

2007.1232milx32mil601m651m/w...

2008.0628milx28mil60lm751m/w...

2008.1224milx24mil60Im95Im/w...

2009.0620milx20mil601m11Olm/w...

2009.1018milx20mil601m1501m/w…

2010.0616milx18mil60lm1801m/w...

2010.1214milx18mil601m2001m/w...

LED芯片效率的提升将使芯片的面积不断减小

2010年12月

四、LED封装技术将会发生的改变1

・由高光效技术的发展路线可以预见,现有的封装工艺与封装材料并不能适用于

未来的封装要求。

由于芯片内量子效率的提升所以产生的热量会减少，芯片有源层的有效电流密

度会大幅度上升。

・芯片整体发热量减少了，所以对于封装式的散热面积要求也会减少，目前采用

的厚重散热的封装结构将会发生大的变化。

LED芯片效率提高使芯片面积大幅度减小，从而改变封装的方式,使单一器件的

光输出大大增加

五、LED封装技术将会发生的改变2

・单颗LED的效率大幅度提升使得发热大幅度戒少。出于制造成本与良率考虑,

单颗高功率LED芯片面积也会大幅度减小（14mil=60LM。

・发热变少与应用上对单一LED光源的高光通量需求使集成化封装成为主流。

•集成化封装LED器件的热聚集效应使LED器件的整体导热效率变得极为重

要。

•能够大幅度减低热阻的共晶焊接技术将成为LED芯片封装技术的主流（高导热

银胶技术由于热阻大于共晶焊技术，本身Tg点温度过低无法使用回流焊方式进行应

用生产所以无法成为封装技术的主流

・减低成本的需要使非金丝焊接技术将大规模应用（铝丝焊接、铜丝焊接、直接

复合等技术将大量应用

・仿C硬度的硅胶成型技术、非球面的二次光学透镜技术等出光技术都