气相沉积法制备纳米氧化锌与硫化锌及其性能的深度剖析.docxVIP

气相沉积法制备纳米氧化锌与硫化锌及其性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，半导体材料作为构建众多电子与光电器件的基石，始终占据着举足轻重的地位。其中，纳米氧化锌（ZnO）和硫化锌（ZnS）作为锌基II-VI族化合物半导体的典型代表，凭借其独特的物理化学性质，在半导体领域展现出极为重要的价值，成为科研与产业应用领域广泛关注的焦点。

纳米氧化锌是一种直接宽带隙半导体材料，其室温下的禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV，远高于室温下的热能（26meV）。这种特性使得纳米氧化锌在室温下能够有效地束缚激子，抑制激子的热离化，从而提高发光效