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锆钛酸铅铁电多层膜：制备工艺、性能优化与应用前景探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，对电子器件的性能要求日益提高，铁电材料因其独特的物理性质，在电子领域展现出了巨大的应用潜力，成为了研究的热点之一。其中，锆钛酸铅（PZT）铁电多层膜作为一种重要的铁电材料体系，以其优异的铁电、压电和介电性能，在非易失性存储器、传感器、驱动器、微波器件等众多领域发挥着关键作用，推动着现代电子器件向小型化、高性能化、多功能化方向发展。

在非易失性存储器领域，传统的存储技术如动态随机存取存储器（DRAM）和闪存等，在数据存储的稳定性、读写速度和能耗等方面逐渐面临瓶颈。铁电随机存取存储器