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制造工艺仿真：光刻仿真_（11）.光刻工艺参数优化.docx

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    光刻工艺参数优化

    引言

    在光刻工艺中，参数的优化是确保高分辨率和高质量图形转移的关键。光刻工艺参数包括曝光剂量、焦距、掩模对准精度、光刻胶厚度、曝光波长等。这些参数的优化不仅影响图形的分辨率和对比度，还决定了工艺的稳定性和良率。本节将详细介绍光刻工艺参数优化的原理和方法，并通过具体的仿真案例来说明如何进行参数优化。

    曝光剂量优化

    原理

    曝光剂量是指在光刻过程中，光刻胶接收到的光能量。适当的曝光剂量可以确保光刻胶在曝光后正确地发生化学变化，从而在显影过程中形成所需的图形。曝光剂量过低会导致光刻胶的曝光不足，图形不清晰；曝光剂量过高则可能导致光刻胶过曝光，图

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